חיישנים אופטיים - מפרידי צילום - סוג חריץ - פלט טר

OPB800W51Z

חלק מלאי: 18957

מרחק חישה: 0.375" (9.53mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB821S10Z

חלק מלאי: 16874

מרחק חישה: 0.080" (2.03mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB380T51Z

חלק מלאי: 17979

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB830W11Z

חלק מלאי: 15160

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB365T11

חלק מלאי: 29928

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPS665

חלק מלאי: 62065

שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB852A2

חלק מלאי: 35046

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB811W55Z

חלק מלאי: 20389

מרחק חישה: 0.375" (9.53mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB815WZ

חלק מלאי: 17279

מרחק חישה: 0.375" (9.53mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB370N51

חלק מלאי: 32289

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB817Z

חלק מלאי: 19833

מרחק חישה: 0.200" (5.08mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB810W55Z

חלק מלאי: 20137

מרחק חישה: 0.375" (9.53mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB870T51TX

חלק מלאי: 348

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB829DZ

חלק מלאי: 22483

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB890P51Z

חלק מלאי: 20424

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB350W125Z

חלק מלאי: 11417

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Liquid, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB830W55Z

חלק מלאי: 18829

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB891P55Z

חלק מלאי: 22058

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB360T51

חלק מלאי: 36508

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB825

חלק מלאי: 45244

מרחק חישה: 0.160" (4.06mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

LTH-301-32

חלק מלאי: 66059

מרחק חישה: 0.591" (15mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

PM-T64P

חלק מלאי: 3692

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 15mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

PM-F64P

חלק מלאי: 3634

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 15mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

TCST1202

חלק מלאי: 45781

מרחק חישה: 0.122" (3.1mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 60mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 200mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 70V,

EE-SX1055

חלק מלאי: 23952

מרחק חישה: 0.110" (2.8mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

EE-SH3-GS

חלק מלאי: 15860

מרחק חישה: 0.134" (3.4mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

EE-SV3-B

חלק מלאי: 11328

מרחק חישה: 0.134" (3.4mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

EE-SX153

חלק מלאי: 14873

מרחק חישה: 0.134" (3.4mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

SFH 9540

חלק מלאי: 135295

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 60mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 70V,

EE-SX951P-R 1M

חלק מלאי: 2501

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 15mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 24V,

EE-SX951P-W 1M

חלק מלאי: 2930

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 15mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 24V,

EE-SX971P-C1

חלק מלאי: 2380

מרחק חישה: 0.020" (0.5mm), שיטת חישה: Transmissive, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

EE-SX976-C1

חלק מלאי: 2332

מרחק חישה: 0.020" (0.5mm), שיטת חישה: Transmissive, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

H21A2

חלק מלאי: 37423

מרחק חישה: 0.118" (3mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: NPN - Open Collector/Light-ON, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 3mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

RPI-2501

חלק מלאי: 50505

מרחק חישה: 1.6mm, שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 35mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

EAITRDA2

חלק מלאי: 160063