מרחק חישה: 0.118" (3mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V,
מרחק חישה: 0.118" (3mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V,
מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.375" (9.52mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Photodarlington, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 15V,
מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 1.260" (32mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.080" (2.03mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.100" (2.54mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.100" (2.54mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.551" (14mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
שיטת חישה: Actuator, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 30mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 12V,
מרחק חישה: 0.118" (3mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.134" (3.4mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.122" (3.1mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.118" (3mm), שיטת חישה: Transmissive, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.083" (2.1mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.020" (0.5mm), שיטת חישה: Transmissive, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,