חיישנים אופטיים - מפרידי צילום - סוג חריץ - פלט טר

WF30-95B410

חלק מלאי: 35

מרחק חישה: 1.181" (30mm), שיטת חישה: Optical Flag, תצורת פלט: PNP/NPN,

WF2-95B416

חלק מלאי: 77

מרחק חישה: 0.079" (2mm), שיטת חישה: Optical Flag, תצורת פלט: PNP/NPN,

WF3T-B4210

חלק מלאי: 29

מרחק חישה: 0.118" (3mm), שיטת חישה: Optical Flag, תצורת פלט: PNP/NPN,

RPI-1050

חלק מלאי: 111359

OPB872P51

חלק מלאי: 6012

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB867P51

חלק מלאי: 6020

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB875N55

חלק מלאי: 5971

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB891T55

חלק מלאי: 6101

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB870P51

חלק מלאי: 6056

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB882L55Z

חלק מלאי: 6071

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPBA302

חלק מלאי: 5971

מרחק חישה: 0.2" (5.08mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Open Collector, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA,

OPB870T55TXV

חלק מלאי: 334

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB872P51TX

חלק מלאי: 322

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB871N51TXV

חלק מלאי: 281

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB871L51TXV

חלק מלאי: 354

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB875P11

חלק מלאי: 3994

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB870P11

חלק מלאי: 6082

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB865N11

חלק מלאי: 26790

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB829BZ

חלק מלאי: 21613

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB660T

חלק מלאי: 40270

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Transistor, Base-Emitter Resistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 24V,

OPB840W51Z

חלק מלאי: 17874

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB100-EZ

חלק מלאי: 24043

מרחק חישה: 12" (304.8mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 100mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB870N55

חלק מלאי: 38987

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB680

חלק מלאי: 21104

שיטת חישה: Optical Flag, תצורת פלט: Transistor, Base-Emitter Resistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

QVB21114

חלק מלאי: 9689

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 40mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

H22A6

חלק מלאי: 6073

מרחק חישה: 0.118" (3mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 60mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 55V,

PM-R44P-C3

חלק מלאי: 6035

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 15mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

PM-U24-R

חלק מלאי: 2086

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 15mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

HOA0875-L55

חלק מלאי: 26929

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Transistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

HOA1875-003

חלק מלאי: 5435

מרחק חישה: 0.200" (5.08mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Photodarlington, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 15V,

EE-SX1128

חלק מלאי: 42770

מרחק חישה: 0.165" (4.2mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

EE-SG3-B

חלק מלאי: 13033

מרחק חישה: 0.142" (3.6mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

EE-SX954P-R 1M

חלק מלאי: 2532

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 15mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 24V,

EE-SX971-C1

חלק מלאי: 2393

מרחק חישה: 0.020" (0.5mm), שיטת חישה: Transmissive, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

H22A2

חלק מלאי: 37418

מרחק חישה: 0.118" (3mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

GP1S562

חלק מלאי: 51993

מרחק חישה: 0.118" (3mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V,