Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - מערכים, מוטה מראש

SMUN5213DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5213DW1T1G

חלק מלאי: 151695

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
NSBC144WPDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC144WPDP6T5G

חלק מלאי: 156563

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
NSBC144EDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC144EDP6T5G

חלק מלאי: 168274

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
NSVMUN5113DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN5113DW1T3G

חלק מלאי: 116755

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 1V,

לרשימת האם
MUN5312DW1T2G
ON Semiconductor

MUN5312DW1T2G

חלק מלאי: 134631

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
NSBC114YDP6T5G
ON Semiconductor

NSBC114YDP6T5G

חלק מלאי: 103833

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
MUN5214DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5214DW1T1G

חלק מלאי: 184027

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
NSVBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC144EPDXV6T1G

חלק מלאי: 125769

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
NSBC123JPDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC123JPDXV6T5G

חלק מלאי: 126783

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
DMA564010R
Panasonic Electronic Components

DMA564010R

חלק מלאי: 128549

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
DMG963H10R
Panasonic Electronic Components

DMG963H10R

חלק מלאי: 152297

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 30 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
DMA5610F0R
Panasonic Electronic Components

DMA5610F0R

חלק מלאי: 140860

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
DMA961010R
Panasonic Electronic Components

DMA961010R

חלק מלאי: 185363

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
DMG963HD0R
Panasonic Electronic Components

DMG963HD0R

חלק מלאי: 129355

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V / 80 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
DMC564060R
Panasonic Electronic Components

DMC564060R

חלק מלאי: 112083

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
DMC266060R
Panasonic Electronic Components

DMC266060R

חלק מלאי: 134332

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
DMG963HC0R
Panasonic Electronic Components

DMG963HC0R

חלק מלאי: 137430

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, 510 Ohms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, 5.1 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
PBLS2023D,115
Nexperia USA Inc.

PBLS2023D,115

חלק מלאי: 198052

סוג טרנזיסטור: 1 PNP Pre-Biased, 1 PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, 1.8A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, 20V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V / 200 @ 1A, 2V,

לרשימת האם
PQMH9Z
Nexperia USA Inc.

PQMH9Z

חלק מלאי: 157995

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
PUMD20,115
Nexperia USA Inc.

PUMD20,115

חלק מלאי: 174220

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 2.2 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

לרשימת האם
PUMF11,115
Nexperia USA Inc.

PUMF11,115

חלק מלאי: 127576

סוג טרנזיסטור: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, 40V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V / 120 @ 1mA, 6V,

לרשימת האם
PEMH11,315
Nexperia USA Inc.

PEMH11,315

חלק מלאי: 178992

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
PEMH20,115
Nexperia USA Inc.

PEMH20,115

חלק מלאי: 131376

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 2.2 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

לרשימת האם
PUMB30,115
Nexperia USA Inc.

PUMB30,115

חלק מלאי: 183241

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V,

לרשימת האם
PBLS6024D,115
Nexperia USA Inc.

PBLS6024D,115

חלק מלאי: 165658

סוג טרנזיסטור: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, 1.5A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, 65V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 140 @ 1A, 2V,

לרשימת האם
PUMD15,135
Nexperia USA Inc.

PUMD15,135

חלק מלאי: 188767

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
RN2901FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2901FE(TE85L,F)

חלק מלאי: 169

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
RN1609(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1609(TE85L,F)

חלק מלאי: 147

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
RN2507(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2507(TE85L,F)

חלק מלאי: 152

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
EMD5T2R
Rohm Semiconductor

EMD5T2R

חלק מלאי: 109340

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
EMB11T2R
Rohm Semiconductor

EMB11T2R

חלק מלאי: 118490

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
FMG2AT148
Rohm Semiconductor

FMG2AT148

חלק מלאי: 107915

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
EMH75T2R
Rohm Semiconductor

EMH75T2R

חלק מלאי: 186217

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
UMD22NTR
Rohm Semiconductor

UMD22NTR

חלק מלאי: 132867

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
UMA5NTR
Rohm Semiconductor

UMA5NTR

חלק מלאי: 183533

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
UMB11NTN
Rohm Semiconductor

UMB11NTN

חלק מלאי: 138120

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 20 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם