Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - מערכים, מוטה מראש

BCR148SH6433XTMA1
Infineon Technologies

BCR148SH6433XTMA1

חלק מלאי: 109383

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
BCR48PNH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR48PNH6327XTSA1

חלק מלאי: 103039

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 70mA, 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
BCR08PNH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR08PNH6327XTSA1

חלק מלאי: 177735

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
BCR119SH6433XTMA1
Infineon Technologies

BCR119SH6433XTMA1

חלק מלאי: 157288

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
BCR148SH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR148SH6327XTSA1

חלק מלאי: 188263

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
BCR116SH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR116SH6327XTSA1

חלק מלאי: 104028

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
BCR129SH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR129SH6327XTSA1

חלק מלאי: 114428

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
BCR08PNH6727XTSA1
Infineon Technologies

BCR08PNH6727XTSA1

חלק מלאי: 125922

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
BCR183SH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR183SH6327XTSA1

חלק מלאי: 158859

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
BCR22PNH6433XTMA1
Infineon Technologies

BCR22PNH6433XTMA1

חלק מלאי: 123945

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
BCR183SH6433XTMA1
Infineon Technologies

BCR183SH6433XTMA1

חלק מלאי: 1324

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
BCR198SH6827XTSA1
Infineon Technologies

BCR198SH6827XTSA1

חלק מלאי: 1343

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
BCR141SH6327XTSA1
Infineon Technologies

BCR141SH6327XTSA1

חלק מלאי: 183216

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
PBLS1502Y,115
Nexperia USA Inc.

PBLS1502Y,115

חלק מלאי: 161247

סוג טרנזיסטור: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, 15V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

לרשימת האם
PBLS2021D,115
Nexperia USA Inc.

PBLS2021D,115

חלק מלאי: 183829

סוג טרנזיסטור: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, 1.8A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, 20V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 2.2 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 200 @ 1A, 2V,

לרשימת האם
PQMD2Z
Nexperia USA Inc.

PQMD2Z

חלק מלאי: 106888

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
PEMD13,115
Nexperia USA Inc.

PEMD13,115

חלק מלאי: 131970

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
PUMB18,115
Nexperia USA Inc.

PUMB18,115

חלק מלאי: 168362

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
RN2607(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2607(TE85L,F)

חלק מלאי: 114

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
RN1507(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1507(TE85L,F)

חלק מלאי: 173834

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
RN1901,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1901,LF(CT

חלק מלאי: 146118

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 1 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
RN4608(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4608(TE85L,F)

חלק מלאי: 136

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
RN1961(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1961(TE85L,F)

חלק מלאי: 158

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
FMA5AT148
Rohm Semiconductor

FMA5AT148

חלק מלאי: 154673

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
FMA2AT148
Rohm Semiconductor

FMA2AT148

חלק מלאי: 118374

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
EMB51T2R
Rohm Semiconductor

EMB51T2R

חלק מלאי: 153857

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
EMD59T2R
Rohm Semiconductor

EMD59T2R

חלק מלאי: 105571

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
EMG1T2R
Rohm Semiconductor

EMG1T2R

חלק מלאי: 157219

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
UMG6NTR
Rohm Semiconductor

UMG6NTR

חלק מלאי: 150689

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

לרשימת האם
NSVBC124EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVBC124EDXV6T1G

חלק מלאי: 106381

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
SMUN5235DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5235DW1T1G

חלק מלאי: 184838

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
NSVMUN531335DW1T3G
ON Semiconductor

NSVMUN531335DW1T3G

חלק מלאי: 197856

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
NSVMUN5334DW1T1G
ON Semiconductor

NSVMUN5334DW1T1G

חלק מלאי: 194293

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
DMA964020R
Panasonic Electronic Components

DMA964020R

חלק מלאי: 123316

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
DMC2610E0R
Panasonic Electronic Components

DMC2610E0R

חלק מלאי: 191114

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
DMC564030R
Panasonic Electronic Components

DMC564030R

חלק מלאי: 157335

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם