| סוּג | תיאור |
| סטטוס חלק | Obsolete |
|---|---|
| סוג FET | N-Channel |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) |
| ניקוז למתח המקור (Vdss) | 650V |
| זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
| מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950 mOhm @ 2.8A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.9V @ 200µA |
| טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs | 25nC @ 10V |
| Vgs (מקסימום) | ±20V |
| קיבולת קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds | 490pF @ 25V |
| תכונת FET | - |
| פיזור כוח (מקסימום) | 50W (Tc) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| סוג הרכבה | Surface Mount |
| חבילת מכשירי ספק | PG-TO263-3-2 |
| חבילה / מארז | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| מעמד RoHS. | תואם RoHS. |
|---|---|
| רמת רגישות לחות (MSL) | לא ישים |
| מצב מחזור החיים | מיושן / סוף החיים |
| קטגוריה | מלאי זמין |
