| סוּג | תיאור |
| סטטוס חלק | Obsolete |
|---|---|
| סוג FET | N-Channel |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) |
| ניקוז למתח המקור (Vdss) | 20V |
| זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל) | 1.8V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs | 16nC @ 8V |
| Vgs (מקסימום) | ±8V |
| קיבולת קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds | 520pF @ 10V |
| תכונת FET | Schottky Diode (Isolated) |
| פיזור כוח (מקסימום) | 2.3W (Ta), 8.3W (Tc) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| סוג הרכבה | Surface Mount |
| חבילת מכשירי ספק | PowerPAK® ChipFet Dual |
| חבילה / מארז | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| מעמד RoHS. | תואם RoHS. |
|---|---|
| רמת רגישות לחות (MSL) | לא ישים |
| מצב מחזור החיים | מיושן / סוף החיים |
| קטגוריה | מלאי זמין |
