סוּג | תיאור |
סטטוס חלק | Active |
---|---|
סוג FET | N-Channel |
טֶכנוֹלוֹגִיָה | SiCFET (Silicon Carbide) |
ניקוז למתח המקור (Vdss) | 650V |
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C | 93A (Tc) |
מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל) | 18V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28.6 mOhm @ 36A, 18V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5.6V @ 18.2mA |
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs | 133nC @ 18V |
Vgs (מקסימום) | +22V, -4V |
קיבולת קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds | 2208pF @ 500V |
תכונת FET | - |
פיזור כוח (מקסימום) | 339W (Tc) |
טמפרטורת פעולה | 175°C (TJ) |
סוג הרכבה | Through Hole |
חבילת מכשירי ספק | TO-247N |
חבילה / מארז | TO-247-3 |
מעמד RoHS. | תואם RoHS. |
---|---|
רמת רגישות לחות (MSL) | לא ישים |
מצב מחזור החיים | מיושן / סוף החיים |
קטגוריה | מלאי זמין |