סוּג | תיאור |
סטטוס חלק | Active |
---|---|
סוג FET | 2 N-Channel (Dual) |
תכונת FET | Silicon Carbide (SiC) |
ניקוז למתח המקור (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 100A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 10mA |
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs | 500nC @ 20V |
קיבולת קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds | 10200pF @ 800V |
כוח - מקסימום | 900W |
טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 175°C (TJ) |
סוג הרכבה | Chassis Mount |
חבילה / מארז | Module |
חבילת מכשירי ספק | Module |
מעמד RoHS. | תואם RoHS. |
---|---|
רמת רגישות לחות (MSL) | לא ישים |
מצב מחזור החיים | מיושן / סוף החיים |
קטגוריה | מלאי זמין |