| סוּג | תיאור |
| סטטוס חלק | Active |
|---|---|
| סוג FET | P-Channel |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) |
| ניקוז למתח המקור (Vdss) | 20V |
| זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C | 1.2A (Ta) |
| מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל) | 1.2V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 447 mOhm @ 1.2A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs | 2.3nC @ 4.5V |
| Vgs (מקסימום) | ±8V |
| קיבולת קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds | 116pF @ 10V |
| תכונת FET | - |
| פיזור כוח (מקסימום) | 360mW (Ta), 5.68W (Tc) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| סוג הרכבה | Surface Mount |
| חבילת מכשירי ספק | DFN1010D-3 |
| חבילה / מארז | 3-XDFN Exposed Pad |
| מעמד RoHS. | תואם RoHS. |
|---|---|
| רמת רגישות לחות (MSL) | לא ישים |
| מצב מחזור החיים | מיושן / סוף החיים |
| קטגוריה | מלאי זמין |
