סוּג | תיאור |
סטטוס חלק | Active |
---|---|
סוג FET | N-Channel |
טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) |
ניקוז למתח המקור (Vdss) | 650V |
זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C | 17.5A (Tc) |
מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 7.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 730µA |
טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs | 68nC @ 10V |
Vgs (מקסימום) | ±20V |
קיבולת קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds | 1850pF @ 100V |
תכונת FET | - |
פיזור כוח (מקסימום) | 151W (Tc) |
טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) |
סוג הרכבה | Through Hole |
חבילת מכשירי ספק | PG-TO262-3 |
חבילה / מארז | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
מעמד RoHS. | תואם RoHS. |
---|---|
רמת רגישות לחות (MSL) | לא ישים |
מצב מחזור החיים | מיושן / סוף החיים |
קטגוריה | מלאי זמין |