| סוּג | תיאור |
| סטטוס חלק | Active |
|---|---|
| סוג FET | 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
| תכונת FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ניקוז למתח המקור (Vdss) | 100V |
| זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C | 1.7A, 500mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
| טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs | 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
| קיבולת קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds | 16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
| כוח - מקסימום | - |
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| סוג הרכבה | Surface Mount |
| חבילה / מארז | 9-VFBGA |
| חבילת מכשירי ספק | 9-BGA (1.35x1.35) |
| מעמד RoHS. | תואם RoHS. |
|---|---|
| רמת רגישות לחות (MSL) | לא ישים |
| מצב מחזור החיים | מיושן / סוף החיים |
| קטגוריה | מלאי זמין |
