| סוּג | תיאור |
| סטטוס חלק | Active |
|---|---|
| סוג FET | P-Channel |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) |
| ניקוז למתח המקור (Vdss) | 20V |
| זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C | 3.3A (Ta) |
| מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל) | 4.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 85 mOhm @ 3.05A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs | 7.8nC @ 10V |
| Vgs (מקסימום) | ±20V |
| קיבולת קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds | 353pF @ 15V |
| תכונת FET | Schottky Diode (Isolated) |
| פיזור כוח (מקסימום) | 1.1W (Ta) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| סוג הרכבה | Surface Mount |
| חבילת מכשירי ספק | 8-SO |
| חבילה / מארז | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| מעמד RoHS. | תואם RoHS. |
|---|---|
| רמת רגישות לחות (MSL) | לא ישים |
| מצב מחזור החיים | מיושן / סוף החיים |
| קטגוריה | מלאי זמין |