| סוּג | תיאור |
| סטטוס חלק | Obsolete |
|---|---|
| סוג FET | N-Channel |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | SiCFET (Silicon Carbide) |
| ניקוז למתח המקור (Vdss) | 1200V |
| זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C | 50A (Tj) |
| מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל) | 20V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 110 mOhm @ 20A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| טעינת שער (Qg) (מקסימום) @ Vgs | 90.8nC @ 20V |
| Vgs (מקסימום) | +25V, -5V |
| קיבולת קלט (Ciss) (מקסימום) @ Vds | 1915pF @ 800V |
| תכונת FET | - |
| פיזור כוח (מקסימום) | 313mW (Tj) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| סוג הרכבה | Surface Mount |
| חבילת מכשירי ספק | Die |
| חבילה / מארז | Die |
| מעמד RoHS. | תואם RoHS. |
|---|---|
| רמת רגישות לחות (MSL) | לא ישים |
| מצב מחזור החיים | מיושן / סוף החיים |
| קטגוריה | מלאי זמין |
