מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 10mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.106" (2.7mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 10mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
