Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

דיודות - מיישרים - יחיד

  • בית
  •  
  • דיודות - מיישרים - יחיד
BYG10D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10D-E3/TR

חלק מלאי: 163646

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.15V @ 1.5A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 4µs,

רשימת משאלות
BYS10-25-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-25-E3/TR

חלק מלאי: 164701

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 25V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 500mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
BYM12-200-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-200-E3/96

חלק מלאי: 120803

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
BYS10-45HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/I

חלק מלאי: 32260

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 45V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
BAV20WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20WS-HE3-08

חלק מלאי: 152834

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 150V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 250mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.25V @ 200mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
BAV20W-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20W-HE3-08

חלק מלאי: 179080

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 150V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 250mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.25V @ 200mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
BAS16D-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS16D-HE3-08

חלק מלאי: 111335

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 75V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 250mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.25V @ 150mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 6ns,

רשימת משאלות
BYS10-45-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45-E3/TR3

חלק מלאי: 106669

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 45V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 500mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
BAV302-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV302-TR

חלק מלאי: 155089

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 150V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 250mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 100mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
BAQ333-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAQ333-TR

חלק מלאי: 142318

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 100mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
BAT54W-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54W-E3-08

חלק מלאי: 170231

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 800mV @ 100mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, זמן התאוששות הפוך (trr): 5ns,

רשימת משאלות
BAS170WS-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS170WS-HE3-08

חלק מלאי: 136941

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 70V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 70mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 15mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
BYS10-35HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-35HE3_A/H

חלק מלאי: 34922

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 35V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 500mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
BYS10-45HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYS10-45HE3_A/H

חלק מלאי: 34902

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 45V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 500mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
BA158-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

BA158-E3/54

חלק מלאי: 101393

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 250ns,

רשימת משאלות
B340LB-E3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division

B340LB-E3/52T

חלק מלאי: 123083

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 450mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
BYG20D-E3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20D-E3/TR

חלק מלאי: 116833

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.4V @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 75ns,

רשימת משאלות
BYT62-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT62-TAP

חלק מלאי: 158520

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 2400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 350mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 3.6V @ 1A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 5µs,

רשימת משאלות
BYT54M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT54M-TAP

חלק מלאי: 193530

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1000V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.25A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.5V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 100ns,

רשימת משאלות
BAV21-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV21-TR

חלק מלאי: 170950

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 250mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 100mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
BYT52M-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYT52M-TAP

חלק מלאי: 122124

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1000V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.4A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 200ns,

רשימת משאלות
BAW27-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TAP

חלק מלאי: 153002

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 600mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.25V @ 400mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 6ns,

רשימת משאלות
BYW36-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW36-TR

חלק מלאי: 121947

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 200ns,

רשימת משאלות
BYV26D-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TAP

חלק מלאי: 187035

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 800V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 2.5V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 75ns,

רשימת משאלות
BY269TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BY269TAP

חלק מלאי: 129989

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.6V @ 3A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 2µs,

רשימת משאלות
BYV26C-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26C-TAP

חלק מלאי: 171441

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 2.5V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 30ns,

רשימת משאלות
BYW32-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW32-TR

חלק מלאי: 152678

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 200ns,

רשימת משאלות
BYV27-600-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-600-TAP

חלק מלאי: 122331

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.35V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 250ns,

רשימת משאלות
BYW55-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYW55-TAP

חלק מלאי: 144972

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 800V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 1A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 4µs,

רשימת משאלות
BYX86TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYX86TAP

חלק מלאי: 183532

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1000V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 1A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 4µs,

רשימת משאלות
BAW27-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAW27-TR

חלק מלאי: 134544

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 600mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.25V @ 400mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 6ns,

רשימת משאלות
BYV26B-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26B-TAP

חלק מלאי: 169957

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 2.5V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 30ns,

רשימת משאלות
BYV38-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV38-TAP

חלק מלאי: 177773

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1000V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 300ns,

רשימת משאלות
BYV26D-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV26D-TR

חלק מלאי: 121386

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 800V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 2.5V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 75ns,

רשימת משאלות
BYV27-150-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-150-TAP

חלק מלאי: 139081

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 165V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.07V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 25ns,

רשימת משאלות
BYV27-200-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYV27-200-TAP

חלק מלאי: 181381

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.07V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 25ns,

רשימת משאלות