Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

דיודות - מיישרים - יחיד

  • בית
  •  
  • דיודות - מיישרים - יחיד
BYM12-300HE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM12-300HE3_A/H

חלק מלאי: 273

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 300V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.25V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
BYM11-200HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-200HE3/97

חלק מלאי: 146674

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות
BYM11-800-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYM11-800-E3/96

חלק מלאי: 150291

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 800V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 500ns,

רשימת משאלות
BAT46-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46-TAP

חלק מלאי: 108452

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 150mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 250mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
BAT81S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT81S-TAP

חלק מלאי: 154468

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 30mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 15mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
BAT82S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT82S-TR

חלק מלאי: 158822

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 30mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 15mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
BAV20-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV20-TAP

חלק מלאי: 159155

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 150V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 250mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 100mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
BAT46-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT46-TR

חלק מלאי: 197051

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 150mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 450mV @ 10mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
BAT86S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT86S-TR

חלק מלאי: 122405

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 900mV @ 100mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
BAT41-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT41-TR

חלק מלאי: 119842

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 100mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 200mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
BAY135-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAY135-TAP

חלק מלאי: 148532

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 125V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 30mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
BAT83S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT83S-TAP

חלק מלאי: 128512

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 30mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 15mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
BAT41-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT41-TAP

חלק מלאי: 196580

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 100mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 200mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
BAT43-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43-TR

חלק מלאי: 102104

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 450mV @ 15mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, זמן התאוששות הפוך (trr): 5ns,

רשימת משאלות
BAT86S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT86S-TAP

חלק מלאי: 107935

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 900mV @ 100mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
BAV18-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV18-TR

חלק מלאי: 101978

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 250mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 100mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
BAS33-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS33-TAP

חלק מלאי: 109507

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 100mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
BAT85S-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT85S-TR

חלק מלאי: 182695

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 800mV @ 100mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, זמן התאוששות הפוך (trr): 5ns,

רשימת משאלות
BAV17-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV17-TAP

חלק מלאי: 142042

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 20V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 250mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 100mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
BAS34-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS34-TR

חלק מלאי: 194217

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 100mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
BAT43-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT43-TAP

חלק מלאי: 116168

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 450mV @ 15mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, זמן התאוששות הפוך (trr): 5ns,

רשימת משאלות
BAV18-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV18-TAP

חלק מלאי: 118002

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 250mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 100mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
BAT42-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT42-TAP

חלק מלאי: 110674

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 650mV @ 50mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, זמן התאוששות הפוך (trr): 5ns,

רשימת משאלות
BAT82S-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT82S-TAP

חלק מלאי: 116604

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 30mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 15mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
BAV19-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV19-TAP

חלק מלאי: 189935

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 250mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 100mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
BAV17-TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAV17-TR

חלק מלאי: 111895

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 20V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 250mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 100mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
BAS581-02V-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAS581-02V-V-G-08

חלק מלאי: 123251

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 370mV @ 1mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
BAT54-02V-V-G-08
Vishay Semiconductor Diodes Division

BAT54-02V-V-G-08

חלק מלאי: 184839

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 800mV @ 100mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, זמן התאוששות הפוך (trr): 5ns,

רשימת משאלות
BYG22D-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22D-M3/TR

חלק מלאי: 175613

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 25ns,

רשימת משאלות
BYG21MHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG21MHE3_A/I

חלק מלאי: 130523

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1000V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.6V @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 120ns,

רשימת משאלות
BYG20JHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20JHE3_A/H

חלק מלאי: 112559

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.4V @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 75ns,

רשימת משאלות
BYG22B-E3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG22B-E3/TR3

חלק מלאי: 191280

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 25ns,

רשימת משאלות
BYG10G-M3/TR3
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10G-M3/TR3

חלק מלאי: 131337

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.15V @ 1.5A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 4µs,

רשימת משאלות
BYG10J-M3/TR
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG10J-M3/TR

חלק מלאי: 166092

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.15V @ 1.5A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 4µs,

רשימת משאלות
BYG24GHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG24GHM3_A/I

חלק מלאי: 116282

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.25V @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 140ns,

רשימת משאלות
BYG20DHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

BYG20DHE3_A/I

חלק מלאי: 173970

סוג דיודה: Avalanche, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.4V @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 75ns,

רשימת משאלות