סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 50V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 300mV @ 100nA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 40V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 10V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 2V @ 1nA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 40V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80µA @ 10V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 1V @ 1nA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 40V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 600mV @ 1nA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual), מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 25V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 12mA @ 10V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 1V @ 1nA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 40V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 300mV @ 10nA,
סוג FET: P-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 40V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 1.8V @ 1µA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual), מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 25V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 1V @ 1nA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 30V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 3V @ 1nA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual), מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 25V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 24mA @ 10V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 2V @ 1nA,
סוג FET: P-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 40V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 1V @ 1µA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 25V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 300mV @ 10nA,
סוג FET: P-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 30V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 5V @ 10nA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 30V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500mA @ 10V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 4V @ 3nA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 30V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200mA @ 10V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 1.5V @ 3nA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 25V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 24mA @ 10V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 2.5V @ 1nA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 25V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 2V @ 10nA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 25V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 300mV @ 10nA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 25V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 500mV @ 10nA,
