טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד | מוצרי מוליכים למחצה בדידים | 100

SIHG33N60E-E3

חלק מלאי: 8448

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIS427EDN-T1-GE3

חלק מלאי: 163221

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.6 mOhm @ 11A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIHG33N60EF-GE3

חלק מלאי: 9937

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98 mOhm @ 16.5A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

IRF9640STRLPBF

חלק מלאי: 73327

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 11A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 6.6A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIHB28N60EF-GE3

חלק מלאי: 21389

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123 mOhm @ 14A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI2302DDS-T1-GE3

חלק מלאי: 173909

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.9A (Tj), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIRA00DP-T1-GE3

חלק מלאי: 70111

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI3440DV-T1-GE3

חלק מלאי: 132457

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.2A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375 mOhm @ 1.5A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIHB22N60E-GE3

חלק מלאי: 16074

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIHW33N60E-GE3

חלק מלאי: 9974

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI4423DY-T1-E3

חלק מלאי: 73517

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 10A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 mOhm @ 14A, 4.5V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIR850DP-T1-GE3

חלק מלאי: 148607

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 25V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 30A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI7143DP-T1-GE3

חלק מלאי: 118957

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 16.1A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SISS10DN-T1-GE3

חלק מלאי: 162387

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIA425EDJ-T1-GE3

חלק מלאי: 167044

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.5A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIHP17N80E-GE3

חלק מלאי: 13737

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 800V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 8.5A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI2307CDS-T1-E3

חלק מלאי: 132144

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 88 mOhm @ 3.5A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIHB33N60E-GE3

חלק מלאי: 10723

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 33A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIHG22N60E-GE3

חלק מלאי: 14884

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIHA22N60E-E3

חלק מלאי: 17046

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 21A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SQ3426EV-T1_GE3

חלק מלאי: 174027

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI8409DB-T1-E1

חלק מלאי: 148595

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46 mOhm @ 1A, 4.5V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI1011X-T1-GE3

חלק מלאי: 187591

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 640 mOhm @ 400mA, 4.5V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIB452DK-T1-GE3

חלק מלאי: 137221

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 190V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI3458BDV-T1-GE3

חלק מלאי: 199643

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.1A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.2A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIHB22N60AE-GE3

חלק מלאי: 17115

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI8802DB-T2-E1

חלק מלאי: 163785

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 8V, מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 1A, 4.5V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI1469DH-T1-E3

חלק מלאי: 160934

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI2367DS-T1-GE3

חלק מלאי: 177196

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SIHG28N65EF-GE3

חלק מלאי: 9545

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 650V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117 mOhm @ 14A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

IRFR310TRPBF

חלק מלאי: 191323

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 400V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.7A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6 Ohm @ 1A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI1411DH-T1-GE3

חלק מלאי: 128678

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 420mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6 Ohm @ 500mA, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI4630DY-T1-E3

חלק מלאי: 99308

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 25V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI4488DY-T1-E3

חלק מלאי: 91549

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI2343DS-T1-GE3

חלק מלאי: 146234

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53 mOhm @ 4A, 10V,

רשימת משאלות

Vishay Siliconix

SI4116DY-T1-GE3

חלק מלאי: 165746

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 25V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 18A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות