Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד

  • בית
  •  
  • טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד
SUP60N10-18P-E3
Vishay Siliconix

SUP60N10-18P-E3

חלק מלאי: 1092

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
SI7358ADP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7358ADP-T1-E3

חלק מלאי: 1097

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2 mOhm @ 23A, 10V,

רשימת משאלות
SI3495DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3495DV-T1-GE3

חלק מלאי: 1052

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 4.5V,

רשימת משאלות
SUD50N02-04P-E3
Vishay Siliconix

SUD50N02-04P-E3

חלק מלאי: 6135

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SIE816DF-T1-E3
Vishay Siliconix

SIE816DF-T1-E3

חלק מלאי: 1048

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4 mOhm @ 19.8A, 10V,

רשימת משאלות
SI1403CDL-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1403CDL-T1-GE3

חלק מלאי: 173021

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.1A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140 mOhm @ 1.6A, 4.5V,

רשימת משאלות
SI7403BDN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7403BDN-T1-GE3

חלק מלאי: 946

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

רשימת משאלות
SI4104DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4104DY-T1-E3

חלק מלאי: 1005

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 5A, 10V,

רשימת משאלות
SIR432DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR432DP-T1-GE3

חלק מלאי: 1118

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 28.4A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.6 mOhm @ 8.6A, 10V,

רשימת משאלות
SUP90N08-6M8P-E3
Vishay Siliconix

SUP90N08-6M8P-E3

חלק מלאי: 1082

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 75V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 90A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SI3441BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3441BDV-T1-GE3

חלק מלאי: 6113

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.45A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

רשימת משאלות
SIE860DF-T1-E3
Vishay Siliconix

SIE860DF-T1-E3

חלק מלאי: 1142

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1 mOhm @ 21.7A, 10V,

רשימת משאלות
IRFZ14PBF
Vishay Siliconix

IRFZ14PBF

חלק מלאי: 72560

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 10A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 6A, 10V,

רשימת משאלות
SI7392DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7392DP-T1-GE3

חלק מלאי: 1120

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.75 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
SI7664DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7664DP-T1-E3

חלק מלאי: 1103

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SI4466DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4466DY-T1-GE3

חלק מלאי: 1009

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 9.5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 13.5A, 4.5V,

רשימת משאלות
SI4102DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4102DY-T1-GE3

חלק מלאי: 163987

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158 mOhm @ 2.7A, 10V,

רשימת משאלות
SI5402DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5402DC-T1-E3

חלק מלאי: 1049

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.9A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.9A, 10V,

רשימת משאלות
SIE726DF-T1-E3
Vishay Siliconix

SIE726DF-T1-E3

חלק מלאי: 6114

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 10V,

רשימת משאלות
SI7888DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7888DP-T1-GE3

חלק מלאי: 6180

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 9.4A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 12.4A, 10V,

רשימת משאלות
SI4411DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4411DY-T1-GE3

חלק מלאי: 1040

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 13A, 10V,

רשימת משאלות
SI7495DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7495DP-T1-GE3

חלק מלאי: 1105

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 21A, 4.5V,

רשימת משאלות
SIE848DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE848DF-T1-GE3

חלק מלאי: 6173

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

רשימת משאלות
IRFBC30ASTRRPBF
Vishay Siliconix

IRFBC30ASTRRPBF

חלק מלאי: 1029

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.6A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V,

רשימת משאלות
SI7425DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7425DN-T1-GE3

חלק מלאי: 1106

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8.3A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 mOhm @ 12.6A, 4.5V,

רשימת משאלות
SI4390DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4390DY-T1-E3

חלק מלאי: 53080

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8.5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 12.5A, 10V,

רשימת משאלות
SI4048DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4048DY-T1-GE3

חלק מלאי: 127610

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 19.3A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
SI2327DS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2327DS-T1-GE3

חלק מלאי: 986

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 380mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.35 Ohm @ 500mA, 10V,

רשימת משאלות
SI2303BDS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2303BDS-T1-GE3

חלק מלאי: 1030

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.49A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 1.7A, 10V,

רשימת משאלות
SI6404DQ-T1-E3
Vishay Siliconix

SI6404DQ-T1-E3

חלק מלאי: 1110

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8.6A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 mOhm @ 11A, 10V,

רשימת משאלות
SUP28N15-52-E3
Vishay Siliconix

SUP28N15-52-E3

חלק מלאי: 6205

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 28A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52 mOhm @ 5A, 10V,

רשימת משאלות
SUP85N03-04P-E3
Vishay Siliconix

SUP85N03-04P-E3

חלק מלאי: 1077

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 85A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות
SUM70N03-09CP-E3
Vishay Siliconix

SUM70N03-09CP-E3

חלק מלאי: 1060

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 70A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SI7674DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7674DP-T1-GE3

חלק מלאי: 1123

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SI7368DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7368DP-T1-E3

חלק מלאי: 1095

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SI7447ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7447ADP-T1-GE3

חלק מלאי: 1094

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5 mOhm @ 24A, 10V,

רשימת משאלות