Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד

  • בית
  •  
  • טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד
SI7104DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7104DN-T1-E3

חלק מלאי: 70460

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 35A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7 mOhm @ 26.1A, 4.5V,

רשימת משאלות
SI4368DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4368DY-T1-GE3

חלק מלאי: 43176

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 25A, 10V,

רשימת משאלות
SIRA12BDP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA12BDP-T1-GE3

חלק מלאי: 248

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 27A (Ta), 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
SI3464DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3464DV-T1-GE3

חלק מלאי: 171482

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V,

רשימת משאלות
SI7880ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7880ADP-T1-GE3

חלק מלאי: 33676

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SIRA90DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA90DP-T1-RE3

חלק מלאי: 245

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SISS67DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS67DN-T1-GE3

חלק מלאי: 244

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
SI7230DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7230DN-T1-GE3

חלק מלאי: 113255

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 14A, 10V,

רשימת משאלות
SISA12ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA12ADN-T1-GE3

חלק מלאי: 187703

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
SIRA14DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA14DP-T1-GE3

חלק מלאי: 193041

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 58A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
SIR166DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR166DP-T1-GE3

חלק מלאי: 110153

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 40A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
SIR670DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR670DP-T1-GE3

חלק מלאי: 130549

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SIR165DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR165DP-T1-GE3

חלק מלאי: 258

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
SI7806ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7806ADN-T1-GE3

חלק מלאי: 113283

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11 mOhm @ 14A, 10V,

רשימת משאלות
IRFI830GPBF
Vishay Siliconix

IRFI830GPBF

חלק מלאי: 37055

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 500V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 1.9A, 10V,

רשימת משאלות
SIE808DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE808DF-T1-GE3

חלק מלאי: 35066

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

רשימת משאלות
SISA01DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA01DN-T1-GE3

חלק מלאי: 265

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 22.4A (Ta), 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
SI7390DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7390DP-T1-GE3

חלק מלאי: 57373

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 9A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
SI4838DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4838DY-T1-E3

חלק מלאי: 52849

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

רשימת משאלות
SI7862ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7862ADP-T1-GE3

חלק מלאי: 30546

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 16V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 18A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 29A, 4.5V,

רשימת משאלות
SIRA00DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA00DP-T1-RE3

חלק מלאי: 237

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SISS02DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS02DN-T1-GE3

חלק מלאי: 249

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 25V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 51A (Ta), 80A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
SI7149ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7149ADP-T1-GE3

חלק מלאי: 199708

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
SIHA17N80E-E3
Vishay Siliconix

SIHA17N80E-E3

חלק מלאי: 13653

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 800V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 15A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290 mOhm @ 8.5A, 10V,

רשימת משאלות
SQM50P03-07_GE3
Vishay Siliconix

SQM50P03-07_GE3

חלק מלאי: 30993

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 50A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

רשימת משאלות
SIR182DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR182DP-T1-RE3

חלק מלאי: 255

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8 mOhm @ 15A, 10V,

רשימת משאלות
SIR140DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR140DP-T1-RE3

חלק מלאי: 261

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 25V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 71.9A (Ta), 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SI3442BDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3442BDV-T1-GE3

חלק מלאי: 122281

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57 mOhm @ 4A, 4.5V,

רשימת משאלות
SIR680DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR680DP-T1-RE3

חלק מלאי: 66462

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 80V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SI4838DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4838DY-T1-GE3

חלק מלאי: 44771

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 17A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 4.5V,

רשימת משאלות
SIR180DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR180DP-T1-RE3

חלק מלאי: 219

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 32.4A (Ta), 60A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.05 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
SIR108DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR108DP-T1-RE3

חלק מלאי: 232

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 12.4A (Ta), 45A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
SIRA60DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRA60DP-T1-GE3

חלק מלאי: 111133

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות
SIS184DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS184DN-T1-GE3

חלק מלאי: 251

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 17.4A (Ta), 65.3A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
SIR606BDP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR606BDP-T1-RE3

חלק מלאי: 296

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 10.9A (Ta), 38.7A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
SIR668DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR668DP-T1-RE3

חלק מלאי: 64154

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 95A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8 mOhm @ 20A, 10V,

רשימת משאלות