חיישנים אופטיים - רעיוני - פלט אנלוגי

OPB609RA

OPB609RA

חלק מלאי: 2752

שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

OPB745

OPB745

חלק מלאי: 27707

מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 15V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Photodarlington,

OPB700TX

OPB700TX

חלק מלאי: 320

מרחק חישה: 0.200" (5.08mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

OPB711

OPB711

חלק מלאי: 30414

מרחק חישה: 0.080" (2.03mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 24V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

OPB609AX

OPB609AX

חלק מלאי: 2695

שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

OPB70FWZ

OPB70FWZ

חלק מלאי: 16880

מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Transistor,

OPB701

OPB701

חלק מלאי: 2775

מרחק חישה: 0.200" (5.08mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 15V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 100mA, סוג פלט: Photodarlington,

OPB700TXV

OPB700TXV

חלק מלאי: 288

מרחק חישה: 0.200" (5.08mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

OPB730

OPB730

חלק מלאי: 10232

מרחק חישה: 0.250" (6.35mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 15V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Photodarlington,

OPB707C

OPB707C

חלק מלאי: 31623

מרחק חישה: 0.050" (1.27mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 15V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 125mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Photodarlington,

OPB704GWZ

OPB704GWZ

חלק מלאי: 21055

מרחק חישה: 0.149" (3.8mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 6mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Phototransistor,

OPB745W

OPB745W

חלק מלאי: 2799

מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 15V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Photodarlington,

OPB700Z

OPB700Z

חלק מלאי: 9335

מרחק חישה: 0.200" (5.08mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 24V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 100mA, סוג פלט: Phototransistor,

OPB608B

OPB608B

חלק מלאי: 51569

מרחק חישה: 0.050" (1.27mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

OPB608A

OPB608A

חלק מלאי: 51248

מרחק חישה: 0.050" (1.27mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

OPB607A

OPB607A

חלק מלאי: 58586

מרחק חישה: 0.050" (1.27mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 15V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 125mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Photodarlington,

OPB701AL

OPB701AL

חלק מלאי: 4490

מרחק חישה: 0.200" (5.08mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 15V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 100mA, סוג פלט: Photodarlington,

OPB700AL

OPB700AL

חלק מלאי: 5308

מרחק חישה: 0.200" (5.08mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 24V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 100mA, סוג פלט: Phototransistor,

OPB70CWZ

OPB70CWZ

חלק מלאי: 4369

מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Transistor,

OPB702

OPB702

חלק מלאי: 28577

מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

OPB740WZ

OPB740WZ

חלק מלאי: 21977

מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Phototransistor,

OPB707B

OPB707B

חלק מלאי: 2721

מרחק חישה: 0.050" (1.27mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 15V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 125mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Photodarlington,

OPB743

OPB743

חלק מלאי: 35446

מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Phototransistor,

OPB748WZ

OPB748WZ

חלק מלאי: 16521

מרחק חישה: 0.300" (7.62mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Transistor, Base-Emitter Resistor,

OPB701ALZ

OPB701ALZ

חלק מלאי: 7477

מרחק חישה: 0.200" (5.08mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 15V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 100mA, סוג פלט: Photodarlington,

OPB606A

OPB606A

חלק מלאי: 63141

מרחק חישה: 0.050" (1.27mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

OPB704WZ

OPB704WZ

חלק מלאי: 20528

מרחק חישה: 0.149" (3.8mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Phototransistor,

OPB745WZ

OPB745WZ

חלק מלאי: 18695

מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 15V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Photodarlington,

OPB70BWZ

OPB70BWZ

חלק מלאי: 2782

מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Transistor,

OPB606C

OPB606C

חלק מלאי: 63227

מרחק חישה: 0.050" (1.27mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

OPB750N

OPB750N

חלק מלאי: 17452

מרחק חישה: 0.220" (5.59mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 24V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

OPB708

OPB708

חלק מלאי: 33527

מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Phototransistor,

OPB755N

OPB755N

חלק מלאי: 2717

מרחק חישה: 0.220" (5.59mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 24V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

OPB740

OPB740

חלק מלאי: 37779

מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Phototransistor,

OPB750T

OPB750T

חלק מלאי: 17828

מרחק חישה: 0.220" (5.59mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 24V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,

OPB741WZ

OPB741WZ

חלק מלאי: 19773

מרחק חישה: 0.150" (3.81mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 40mA, סוג פלט: Phototransistor,