Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

דיודות - מיישרים - יחיד

  • בית
  •  
  • דיודות - מיישרים - יחיד
SF68GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF68GHR0G

חלק מלאי: 116

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 6A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 6A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
TSS43U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS43U RGG

חלק מלאי: 172

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 450mV @ 15mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, זמן התאוששות הפוך (trr): 5ns,

רשימת משאלות
TSS54U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS54U RGG

חלק מלאי: 145

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 100mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, זמן התאוששות הפוך (trr): 5ns,

רשימת משאלות
S15JC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15JC M6G

חלק מלאי: 165

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 15A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 15A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
TSN520M60 S4G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSN520M60 S4G

חלק מלאי: 204

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 20A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 580mV @ 20A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
TSP15H200S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSP15H200S S1G

חלק מלאי: 159

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 15A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 890mV @ 15A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
ES1LGHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LGHM2G

חלק מלאי: 181

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
TSN525M60 S4G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSN525M60 S4G

חלק מלאי: 146

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 25A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 630mV @ 25A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
TSS0230U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0230U RGG

חלק מלאי: 162

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 35V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 600mV @ 200mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
S15KC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15KC M6G

חלק מלאי: 221

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 800V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 15A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 15A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
S15GC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15GC M6G

חלק מלאי: 158

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 15A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 15A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
TSS40U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS40U RGG

חלק מלאי: 193

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 40mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, זמן התאוששות הפוך (trr): 5ns,

רשימת משאלות
S15MC M6G
Taiwan Semiconductor Corporation

S15MC M6G

חלק מלאי: 137

סוג דיודה: Standard, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 15A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 15A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
TSSW3U45 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSW3U45 RVG

חלק מלאי: 218

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 45V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 470mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
TSSA3U60 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSA3U60 M2G

חלק מלאי: 146

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 540mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 25ns,

רשימת משאלות
ES3JB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3JB M4G

חלק מלאי: 154

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.45V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
TSSE3U60 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSE3U60 RVG

חלק מלאי: 168

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 580mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
TSSW3U45HRVG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSW3U45HRVG

חלק מלאי: 140

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 45V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 470mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
MUR315S V7G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR315S V7G

חלק מלאי: 116

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 150V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 25ns,

רשימת משאלות
TSS83L45 MXG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS83L45 MXG

חלק מלאי: 201

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 45V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 560mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
ES1LG M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LG M2G

חלק מלאי: 170

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
TSN520M60 S3G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSN520M60 S3G

חלק מלאי: 161

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 60V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 20A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 580mV @ 20A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
ES1LJ M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJ M2G

חלק מלאי: 174

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
TSS0340U RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0340U RGG

חלק מלאי: 173

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 45V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 30mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 370mV @ 1mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
TSS0230LU RGG
Taiwan Semiconductor Corporation

TSS0230LU RGG

חלק מלאי: 167

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 35V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 500mV @ 200mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
UGF5JHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF5JHC0G

חלק מלאי: 127

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 3V @ 5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 25ns,

רשימת משאלות
UGF8JDHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF8JDHC0G

חלק מלאי: 196

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 8A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 2.3V @ 8A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 30ns,

רשימת משאלות
TSP15U120S S1G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSP15U120S S1G

חלק מלאי: 122

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 120V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 15A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 750mV @ 15A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
ES1LG R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LG R3G

חלק מלאי: 185

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
TSSA3U45 M2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSSA3U45 M2G

חלק מלאי: 164

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 45V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 480mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
ES1LJ R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJ R3G

חלק מלאי: 195

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
ES1LJHM2G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES1LJHM2G

חלק מלאי: 136

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
UGF12J C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF12J C0G

חלק מלאי: 166

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 12A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 2V @ 12A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 20ns,

רשימת משאלות
RSFALHMTG
Taiwan Semiconductor Corporation

RSFALHMTG

חלק מלאי: 184

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 500mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 500mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות
SS210L MQG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS210L MQG

חלק מלאי: 209

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 850mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SS22LHMHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SS22LHMHG

חלק מלאי: 154

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 20V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 500mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות