Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

דיודות - מיישרים - יחיד

  • בית
  •  
  • דיודות - מיישרים - יחיד
FR156G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR156G R0G

חלק מלאי: 168

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 800V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 500ns,

רשימת משאלות
SF24G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF24G R0G

חלק מלאי: 200

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 950mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
HER208G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER208G R0G

חלק מלאי: 127

סוג דיודה: Standard, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 75ns,

רשימת משאלות
FR156GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR156GHR0G

חלק מלאי: 176

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 800V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 500ns,

רשימת משאלות
MUR120S M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR120S M4G

חלק מלאי: 130

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 875mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 25ns,

רשימת משאלות
RS2B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2B R5G

חלק מלאי: 187

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות
ES2DV M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2DV M4G

חלק מלאי: 122

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 900mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 20ns,

רשימת משאלות
HER302G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER302G R0G

חלק מלאי: 174

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 50ns,

רשימת משאלות
MUR4L20HR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR4L20HR0G

חלק מלאי: 128

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 4A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 890mV @ 4A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 25ns,

רשימת משאלות
FR305G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR305G R0G

חלק מלאי: 157

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 250ns,

רשימת משאלות
MUR320SB M4G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR320SB M4G

חלק מלאי: 173

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 900mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 25ns,

רשימת משאלות
SF41GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF41GHR0G

חלק מלאי: 134

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 4A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 4A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
FR153G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR153G R0G

חלק מלאי: 139

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 1.5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות
FR307G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR307G R0G

חלק מלאי: 175

סוג דיודה: Standard, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 500ns,

רשימת משאלות
SK54B R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

SK54B R5G

חלק מלאי: 186

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 550mV @ 5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
ES2LG R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES2LG R5G

חלק מלאי: 175

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
MUR115SHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR115SHM4G

חלק מלאי: 191

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 150V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 875mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 25ns,

רשימת משאלות
SR105 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR105 A0G

חלק מלאי: 178

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 700mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
HER307G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER307G R0G

חלק מלאי: 191

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 800V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 75ns,

רשימת משאלות
SR102 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR102 A0G

חלק מלאי: 190

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 20V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 550mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
ESH2DA R3G
Taiwan Semiconductor Corporation

ESH2DA R3G

חלק מלאי: 115

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 900mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 25ns,

רשימת משאלות
SF25G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF25G R0G

חלק מלאי: 165

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 300V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
SF64GHR0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF64GHR0G

חלק מלאי: 130

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 6A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 975mV @ 6A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
ES3JBHM4G
Taiwan Semiconductor Corporation

ES3JBHM4G

חלק מלאי: 116

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.45V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
SF44G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF44G R0G

חלק מלאי: 155

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 4A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 4A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
RB520S-30 RSG
Taiwan Semiconductor Corporation

RB520S-30 RSG

חלק מלאי: 183

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 30V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 600mV @ 200mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
FR306G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

FR306G R0G

חלק מלאי: 148

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 800V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 500ns,

רשימת משאלות
RS2G R5G
Taiwan Semiconductor Corporation

RS2G R5G

חלק מלאי: 162

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

רשימת משאלות
TSPB15U45S S2G
Taiwan Semiconductor Corporation

TSPB15U45S S2G

חלק מלאי: 184

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 45V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 15A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 560mV @ 15A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
S1MBHR5G
Taiwan Semiconductor Corporation

S1MBHR5G

חלק מלאי: 199

סוג דיודה: Standard, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 1A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SR202 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR202 A0G

חלק מלאי: 137

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 20V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 550mV @ 2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SR810 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR810 A0G

חלק מלאי: 202

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 8A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 920mV @ 8A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

רשימת משאלות
SF42G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF42G R0G

חלק מלאי: 166

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 4A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 4A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
SF67G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SF67G R0G

חלק מלאי: 204

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 500V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 6A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 6A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 35ns,

רשימת משאלות
RB706F-40 RVG
Taiwan Semiconductor Corporation

RB706F-40 RVG

חלק מלאי: 120

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 45V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 30mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 370mV @ 1mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

רשימת משאלות
UG56G R0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG56G R0G

חלק מלאי: 129

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.55V @ 5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 20ns,

רשימת משאלות