סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 20A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.5V @ 20A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,
סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 20A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.45V @ 20A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,
סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 20A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.45V @ 20A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,
סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 15A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.5V @ 15A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,
סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 100mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 450mV @ 1mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,