מרחק חישה: 0.039" (1mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 20V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 20mA, סוג פלט: Phototransistor,
