מרחק חישה: 0.138" (3.5mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.031" (0.8mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.512" (13mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Photodarlington,
מרחק חישה: 0.028" (0.7mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.138" (3.5mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.028" (0.7mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Photodarlington,
מרחק חישה: 0.031" (0.8mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Photodarlington,
מרחק חישה: 0.028" (0.7mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.028" (0.7mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.031" (0.8mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Photodarlington,
מרחק חישה: 0.028" (0.7mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.028" (0.7mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Photodarlington,
מרחק חישה: 0.028" (0.7mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.028" (0.7mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.028" (0.7mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.028" (0.7mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.028" (0.7mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.031" (0.8mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.028" (0.7mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Photodarlington,
מרחק חישה: 0.028" (0.7mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Photodarlington,
מרחק חישה: 0.551" (14mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 60mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.028" (0.7mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Photodarlington,
מרחק חישה: 0.028" (0.7mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
מרחק חישה: 0.256" (6.5mm), שיטת חישה: Reflective, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, סוג פלט: Phototransistor,
