מרחק חישה: 0.106" (2.7mm), שיטת חישה: Transmissive, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 20mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 5mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 20mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 1mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.118" (3mm), שיטת חישה: Transmissive, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 20mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 500µA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.205" (5.2mm), שיטת חישה: Transmissive, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 20mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 500µA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.591" (15mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,
מרחק חישה: 0.236" (6mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,