סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 250V, מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5 Ohm @ 300mA, 0V,
סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 400V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 300mA, 0V,
סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 0V,
סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 Ohm @ 100mA, 0V,
סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 250V, מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 220mA, 0V,
סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 800V, מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380 Ohm @ 20mA, 0V,
סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 350V, מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 Ohm @ 130mA, 0V,
סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 350V, מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 240mA, 0V,
סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 800V, מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45 Ohm @ 100mA, 0V,
סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 350V, מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 Ohm @ 140mA, 0V,
סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 415V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): -0.35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,
סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 250V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 360mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 0V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 200mA, 0V,
סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 350V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): -0.35V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 50mA, 350mV,
