סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 4500V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2900A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 9000V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1790A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 5.5V @ 4000A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 4500V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2380A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 2.5V @ 2500A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 8500V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3040A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),
סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 71A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 2V @ 45A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 140ns,
סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 4A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 4A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,
סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 100A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 2.7V @ 100A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 270ns,
סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 16A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 16A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,
סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 2.7V @ 10A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 154ns,
סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 42A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 2.1V @ 40A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 76ns,
סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 80A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 2.3V @ 40A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 75ns,
סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 8A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 8A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,
סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 8A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.95V @ 8A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,
סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 2A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,
סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 20A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 20A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,
סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 12A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 12A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,
סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 10A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,
סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 75A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 2.7V @ 75A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 285ns,
סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 25A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 2.7V @ 25A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 190ns,
סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 8A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 8A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,
סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 2.7V @ 5A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 96ns,
סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 8A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 2.3V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 40ns,
סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 10A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.7V @ 10A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,
סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 4A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.9V @ 4A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,
סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 3A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,
סוג דיודה: Silicon Carbide Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 650V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 5A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.8V @ 5A, מְהִירוּת: No Recovery Time > 500mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 0ns,
