סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 11.5A, 17A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9 mOhm @ 11.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,
סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,
סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.3A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21.5 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,
סוג FET: N and P-Channel Complementary, תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 12A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, תכונת FET: Logic Level Gate,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,
סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 80V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA,
סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA,
סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.8 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,
סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6.6A, 8.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.6A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,
סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8A, 13A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA,
סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 850mV @ 250µA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 7.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 6.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,
סוג FET: N and P-Channel, Common Drain, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,
סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,
סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 900mA, 600mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 11A, 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 6.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,
סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,
סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7.4A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA,
סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,
סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,
סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 11A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6 mOhm @ 11A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA,
