טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד | מוצרי מוליכים למחצה בדידים | 40

ZVP3306ASTOB

חלק מלאי: 9834

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 160mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZXM41N10FTC

חלק מלאי: 9828

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 3V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZXMN2A03E6TC

חלק מלאי: 9834

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 7.2A, 4.5V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZVN4306AVSTOA

חלק מלאי: 9787

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.1A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330 mOhm @ 3A, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZVN3306ASTOB

חלק מלאי: 9816

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 270mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZVN0124ASTZ

חלק מלאי: 9848

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 240V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 160mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

VN10LPSTOB

חלק מלאי: 9775

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 270mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZVN4525E6TC

חלק מלאי: 9863

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 250V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.4V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 Ohm @ 500mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZVN2106GTC

חלק מלאי: 9859

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 710mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZVP3310ASTOB

חלק מלאי: 9855

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 140mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 Ohm @ 150mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZVP2106GTC

חלק מלאי: 9854

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 450mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZVP1320ASTOA

חלק מלאי: 9851

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 70mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 Ohm @ 50mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZXM64P03XTC

חלק מלאי: 9830

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.4A, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZVN4424GTC

חלק מלאי: 9856

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 240V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 Ohm @ 500mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZVP4424ASTOA

חלק מלאי: 9877

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 240V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 3.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9 Ohm @ 200mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZVP2120ASTOA

חלק מלאי: 9827

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 120mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 Ohm @ 150mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

VN10LPSTOA

חלק מלאי: 9826

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 270mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZXM64N02XTC

חלק מלאי: 9819

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5.4A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZVP0120AS

חלק מלאי: 9888

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 110mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 Ohm @ 125mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZVNL120C

חלק מלאי: 9887

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 3V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 5V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZVN1409ASTOA

חלק מלאי: 9835

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 90V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 10mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250 Ohm @ 5mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZVN4310ASTOB

חלק מלאי: 9846

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 900mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 3A, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZVP2106AS

חלק מלאי: 9893

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 280mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZVNL110ASTOA

חלק מלאי: 9845

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

DMN2230U-7

חלק מלאי: 112687

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

DMN3730UFB-7

חלק מלאי: 194722

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 750mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460 mOhm @ 200mA, 4.5V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

DMT6009LFG-7

חלק מלאי: 158562

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 11A (Ta), 34A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 13.5A, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

DMP2008UFG-13

חלק מלאי: 130618

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 14A (Ta), 54A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 12A, 4.5V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

DMT3020LFDF-7

חלק מלאי: 195496

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8.4A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZVN4424ZTA

חלק מלאי: 9538

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 240V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 300mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 Ohm @ 500mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

DMP2130L-7

חלק מלאי: 189041

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

ZVP2106ASTZ

חלק מלאי: 190262

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 280mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

DMN3026LVT-7

חלק מלאי: 180476

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6.6A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 6.5A, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

DMN1032UCB4-7

חלק מלאי: 168709

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.8A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26 mOhm @ 1A, 4.5V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

DMN3016LFDF-7

חלק מלאי: 135440

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 mOhm @ 11A, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

DMN2230UQ-7

חלק מלאי: 144195

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

רשימת משאלות