Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד

  • בית
  •  
  • טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד
DMP58D0LFB-7B
Diodes Incorporated

DMP58D0LFB-7B

חלק מלאי: 1145

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 50V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 180mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות
DMP6110SVTQ-7
Diodes Incorporated

DMP6110SVTQ-7

חלק מלאי: 102444

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7.3A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 4.5A, 10V,

רשימת משאלות
DMP57D5UFB-7
Diodes Incorporated

DMP57D5UFB-7

חלק מלאי: 1204

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 50V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 4V,

רשימת משאלות
DMG2301L-7
Diodes Incorporated

DMG2301L-7

חלק מלאי: 126307

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

רשימת משאלות
DMP2069UFY4-7
Diodes Incorporated

DMP2069UFY4-7

חלק מלאי: 169805

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

רשימת משאלות
DMP3018SFK-7
Diodes Incorporated

DMP3018SFK-7

חלק מלאי: 192963

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 10.2A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5 mOhm @ 9.5A, 10V,

רשימת משאלות
DMP2070UCB6-7
Diodes Incorporated

DMP2070UCB6-7

חלק מלאי: 148003

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70 mOhm @ 1A, 4.5V,

רשימת משאלות
ZXMN2B14FHTA
Diodes Incorporated

ZXMN2B14FHTA

חלק מלאי: 172226

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

רשימת משאלות
ZXMN2A03E6TA
Diodes Incorporated

ZXMN2A03E6TA

חלק מלאי: 176262

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.7A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55 mOhm @ 7.2A, 4.5V,

רשימת משאלות
DMS2120LFWB-7
Diodes Incorporated

DMS2120LFWB-7

חלק מלאי: 117964

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.9A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

רשימת משאלות
DMN3008SFG-13
Diodes Incorporated

DMN3008SFG-13

חלק מלאי: 181375

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 17.6A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6 mOhm @ 13.5A, 10V,

רשימת משאלות
DMN3029LFG-7
Diodes Incorporated

DMN3029LFG-7

חלק מלאי: 172644

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6 mOhm @ 10A, 10V,

רשימת משאלות
DMP3098LDM-7
Diodes Incorporated

DMP3098LDM-7

חלק מלאי: 164165

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 4A, 10V,

רשימת משאלות
DMG4800LFG-7
Diodes Incorporated

DMG4800LFG-7

חלק מלאי: 184499

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7.44A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V,

רשימת משאלות
DMT3008LFDF-7
Diodes Incorporated

DMT3008LFDF-7

חלק מלאי: 80528

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 12A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 mOhm @ 9A, 10V,

רשימת משאלות
DMN2005LPK-7
Diodes Incorporated

DMN2005LPK-7

חלק מלאי: 191309

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 440mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 10mA, 4V,

רשימת משאלות
DMN66D0LW-7
Diodes Incorporated

DMN66D0LW-7

חלק מלאי: 186123

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 115mA, 5V,

רשימת משאלות
DMN63D1LT-7
Diodes Incorporated

DMN63D1LT-7

חלק מלאי: 9929

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 320mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

רשימת משאלות
ZXM64P03XTA
Diodes Incorporated

ZXM64P03XTA

חלק מלאי: 189143

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.8A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 2.4A, 10V,

רשימת משאלות
DMN62D0SFD-7
Diodes Incorporated

DMN62D0SFD-7

חלק מלאי: 104092

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 540mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 500mA, 10V,

רשימת משאלות
DMN66D0LT-7
Diodes Incorporated

DMN66D0LT-7

חלק מלאי: 106016

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 115mA, 10V,

רשימת משאלות
DMN65D8LQ-7
Diodes Incorporated

DMN65D8LQ-7

חלק מלאי: 196798

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 310mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 115mA, 10V,

רשימת משאלות
DI9430T
Diodes Incorporated

DI9430T

חלק מלאי: 1134

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5.3A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 5.3A, 10V,

רשימת משאלות
DMN33D8LT-7
Diodes Incorporated

DMN33D8LT-7

חלק מלאי: 191162

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 115mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 10mA, 4V,

רשימת משאלות
DMP2004TK-7
Diodes Incorporated

DMP2004TK-7

חלק מלאי: 146602

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 430mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 430mA, 4.5V,

רשימת משאלות
ZXMP3F30FHTA
Diodes Incorporated

ZXMP3F30FHTA

חלק מלאי: 141096

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.8A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.5A, 10V,

רשימת משאלות
DMN2450UFD-7
Diodes Incorporated

DMN2450UFD-7

חלק מלאי: 9990

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 900mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600 mOhm @ 200mA, 4.5V,

רשימת משאלות
DMN1008UFDF-7
Diodes Incorporated

DMN1008UFDF-7

חלק מלאי: 9992

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 12.2A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 mOhm @ 5A, 4.5V,

רשימת משאלות
ZXM62P03E6TA
Diodes Incorporated

ZXM62P03E6TA

חלק מלאי: 148539

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 1.6A, 10V,

רשימת משאלות
DMN62D0LFB-7B
Diodes Incorporated

DMN62D0LFB-7B

חלק מלאי: 1174

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2 Ohm @ 100mA, 4V,

רשימת משאלות
DMP2170U-7
Diodes Incorporated

DMP2170U-7

חלק מלאי: 193160

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.1A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

רשימת משאלות
DMP2240UWQ-7
Diodes Incorporated

DMP2240UWQ-7

חלק מלאי: 189978

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 2A, 4.5V,

רשימת משאלות
DMP2006UFG-13
Diodes Incorporated

DMP2006UFG-13

חלק מלאי: 119746

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 17.5A (Ta), 40A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 15A, 4.5V,

רשימת משאלות
DMN3025LFV-13
Diodes Incorporated

DMN3025LFV-13

חלק מלאי: 9956

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 25A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V,

רשימת משאלות
DMN10H099SFG-13
Diodes Incorporated

DMN10H099SFG-13

חלק מלאי: 163502

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.2A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 6V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.3A, 10V,

רשימת משאלות
DMN3033LSNQ-7
Diodes Incorporated

DMN3033LSNQ-7

חלק מלאי: 142930

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V,

רשימת משאלות