טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד

בית
טרנזיסטורים - FET, MOSFET - יחיד

Diodes Incorporated

BS107PSTOB

חלק מלאי: 9842

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 120mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.6V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BS170FTC

חלק מלאי: 9815

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 150µA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BS107PSTOA

חלק מלאי: 9830

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 120mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.6V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BSS127SSN-7

חלק מלאי: 139832

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 50mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 Ohm @ 16mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BSS123ATA

חלק מלאי: 9563

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BSS123W-7

חלק מלאי: 9261

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BSS123-7

חלק מלאי: 9289

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BSS84W-7

חלק מלאי: 5967

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 50V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 130mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BSS138W-7

חלק מלאי: 9210

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 50V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BSS84-7

חלק מלאי: 5966

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 50V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 130mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BSS138-7

חלק מלאי: 9161

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 50V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BS870-7

חלק מלאי: 9148

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BSS138TA

חלק מלאי: 178827

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 50V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BSS84TA

חלק מלאי: 8844

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 50V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 130mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BS170FTA

חלק מלאי: 141023

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 150µA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BS250FTA

חלק מלאי: 165036

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 45V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 90mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BS250P

חלק מלאי: 76312

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 45V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 230mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 Ohm @ 200mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BS870-7-F

חלק מלאי: 145986

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 250mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BS107P

חלק מלאי: 111049

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 200V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 120mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 2.6V, 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 Ohm @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BSS123-7-F

חלק מלאי: 194929

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BSS127S-7

חלק מלאי: 145342

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 600V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 50mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160 Ohm @ 16mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BSS123W-7-F

חלק מלאי: 104941

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BSS123TA

חלק מלאי: 164889

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 100mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BSS123WQ-7-F

חלק מלאי: 128372

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 170mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BSN20-7

חלק מלאי: 154699

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 50V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 500mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8 Ohm @ 220mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BSS138W-7-F

חלק מלאי: 179213

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 50V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BSS84W-7-F

חלק מלאי: 141466

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 50V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 130mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BSS84-7-F

חלק מלאי: 115052

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 50V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 130mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

BSS138-7-F

חלק מלאי: 190529

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 50V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 200mA (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

DMP1096UCB4-7

חלק מלאי: 195132

סוג FET: P-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.6A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 102 mOhm @ 500mA, 4.5V,

רשימת משאלות

DMTH6004SCTBQ-13

Diodes Incorporated

DMTH6004SCTBQ-13

חלק מלאי: 44412

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4 mOhm @ 100A, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

DMG4N65CT

חלק מלאי: 59554

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 650V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

DMN2058UW-7

חלק מלאי: 101

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 3A, 10V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

DMN1053UCP4-7

חלק מלאי: 118

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.7A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 1A, 4.5V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

DMN1017UCP3-7

חלק מלאי: 198308

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7.5A (Ta), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 1.8V, 3.3V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 5A, 3.3V,

רשימת משאלות

Diodes Incorporated

DMJ70H1D3SH3

חלק מלאי: 61608

סוג FET: N-Channel, טֶכנוֹלוֹגִיָה: MOSFET (Metal Oxide), ניקוז למתח המקור (Vdss): 700V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.6A (Tc), מתח כונן (מקסימום Rds מופעל, מינימום Rds פועל): 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3 Ohm @ 2.5A, 10V,

רשימת משאלות

1420

«
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
»