Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - IGBT - מודולים

APTGF165SK60D1G
Microsemi Corporation

APTGF165SK60D1G

חלק מלאי: 463

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 600V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 230A, כוח - מקסימום: 730W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

לרשימת האם
APTGF180A60TG
Microsemi Corporation

APTGF180A60TG

חלק מלאי: 496

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Half Bridge, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 600V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 220A, כוח - מקסימום: 833W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 180A,

לרשימת האם
APTGF165A60D1G
Microsemi Corporation

APTGF165A60D1G

חלק מלאי: 456

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Half Bridge, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 600V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 230A, כוח - מקסימום: 781W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 200A,

לרשימת האם
APTGF165DA60D1G
Microsemi Corporation

APTGF165DA60D1G

חלק מלאי: 448

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 600V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 230A, כוח - מקסימום: 730W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

לרשימת האם
APTGF15H120T3G
Microsemi Corporation

APTGF15H120T3G

חלק מלאי: 440

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Full Bridge Inverter, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 1200V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25A, כוח - מקסימום: 140W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

לרשימת האם
APTGF15A120T1G
Microsemi Corporation

APTGF15A120T1G

חלק מלאי: 442

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Half Bridge, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 1200V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25A, כוח - מקסימום: 140W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

לרשימת האם
APTGF15H120T1G
Microsemi Corporation

APTGF15H120T1G

חלק מלאי: 487

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Full Bridge Inverter, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 1200V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 25A, כוח - מקסימום: 140W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 15A,

לרשימת האם
APTGF150SK120TG
Microsemi Corporation

APTGF150SK120TG

חלק מלאי: 414

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 1200V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 200A, כוח - מקסימום: 961W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

לרשימת האם
APTGF150DH120G
Microsemi Corporation

APTGF150DH120G

חלק מלאי: 410

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Asymmetrical Bridge, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 1200V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 200A, כוח - מקסימום: 961W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

לרשימת האם
APTGF150DA120TG
Microsemi Corporation

APTGF150DA120TG

חלק מלאי: 435

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 1200V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 200A, כוח - מקסימום: 961W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

לרשימת האם
APTGF100SK120TG
Microsemi Corporation

APTGF100SK120TG

חלק מלאי: 453

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 1200V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 135A, כוח - מקסימום: 568W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

לרשימת האם
APTGF150A120TG
Microsemi Corporation

APTGF150A120TG

חלק מלאי: 3069

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Half Bridge, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 1200V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 200A, כוח - מקסימום: 961W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

לרשימת האם
APTGF100DU120TG
Microsemi Corporation

APTGF100DU120TG

חלק מלאי: 453

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Dual, Common Source, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 1200V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 135A, כוח - מקסימום: 568W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

לרשימת האם
APTGF100DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGF100DA120T1G

חלק מלאי: 411

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 1200V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 130A, כוח - מקסימום: 735W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

לרשימת האם
APTGF100A120TG
Microsemi Corporation

APTGF100A120TG

חלק מלאי: 435

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Half Bridge, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 1200V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 135A, כוח - מקסימום: 568W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 100A,

לרשימת האם
APT60GF60JU3
Microsemi Corporation

APT60GF60JU3

חלק מלאי: 455

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 600V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 93A, כוח - מקסימום: 378W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

לרשימת האם
APT60GF60JU2
Microsemi Corporation

APT60GF60JU2

חלק מלאי: 418

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 600V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 93A, כוח - מקסימום: 378W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

לרשימת האם
APT50GT120JU3
Microsemi Corporation

APT50GT120JU3

חלק מלאי: 3465

סוג IGBT: Trench Field Stop, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 1200V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 75A, כוח - מקסימום: 347W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

לרשימת האם
APT50GT120JU2
Microsemi Corporation

APT50GT120JU2

חלק מלאי: 3433

סוג IGBT: Trench Field Stop, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 1200V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 75A, כוח - מקסימום: 347W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A,

לרשימת האם
APT50GF60JU3
Microsemi Corporation

APT50GF60JU3

חלק מלאי: 448

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 600V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 75A, כוח - מקסימום: 277W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

לרשימת האם
APT30GF60JU3
Microsemi Corporation

APT30GF60JU3

חלק מלאי: 465

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 600V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 58A, כוח - מקסימום: 192W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

לרשימת האם
APT30GF60JU2
Microsemi Corporation

APT30GF60JU2

חלק מלאי: 416

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 600V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 58A, כוח - מקסימום: 192W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A,

לרשימת האם
APT100GF60JU3
Microsemi Corporation

APT100GF60JU3

חלק מלאי: 481

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 600V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 120A, כוח - מקסימום: 416W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

לרשימת האם
APT75GN120J
Microsemi Corporation

APT75GN120J

חלק מלאי: 420

סוג IGBT: Trench Field Stop, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 1200V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 124A, כוח - מקסימום: 379W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

לרשימת האם
APT75GN120JDQ3G
Microsemi Corporation

APT75GN120JDQ3G

חלק מלאי: 401

סוג IGBT: Trench Field Stop, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 1200V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 124A, כוח - מקסימום: 379W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

לרשימת האם
APT60GT60JR
Microsemi Corporation

APT60GT60JR

חלק מלאי: 445

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 600V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 93A, כוח - מקסימום: 378W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 60A,

לרשימת האם
APT50GP60J
Microsemi Corporation

APT50GP60J

חלק מלאי: 2419

סוג IGBT: PT, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 600V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100A, כוח - מקסימום: 329W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

לרשימת האם
APT50GT120JRDQ2
Microsemi Corporation

APT50GT120JRDQ2

חלק מלאי: 393

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 1200V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 72A, כוח - מקסימום: 379W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 50A,

לרשימת האם
APT40GP60JDQ2
Microsemi Corporation

APT40GP60JDQ2

חלק מלאי: 2536

סוג IGBT: PT, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 600V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 86A, כוח - מקסימום: 284W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 40A,

לרשימת האם
APT40GF120JRDQ2
Microsemi Corporation

APT40GF120JRDQ2

חלק מלאי: 469

סוג IGBT: NPT, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 1200V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 77A, כוח - מקסימום: 347W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 40A,

לרשימת האם
APT200GN60JG
Microsemi Corporation

APT200GN60JG

חלק מלאי: 406

סוג IGBT: Trench Field Stop, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 600V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 283A, כוח - מקסימום: 682W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 200A,

לרשימת האם
APT75GP120JDQ3
Microsemi Corporation

APT75GP120JDQ3

חלק מלאי: 1653

סוג IGBT: PT, תְצוּרָה: Single, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 1200V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 128A, כוח - מקסימום: 543W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A,

לרשימת האם
APTGV50H60BT3G
Microsemi Corporation

APTGV50H60BT3G

חלק מלאי: 1360

סוג IGBT: NPT, Trench Field Stop, תְצוּרָה: Boost Chopper, Full Bridge, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 600V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 65A, כוח - מקסימום: 250W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A,

לרשימת האם
A2P75S12M3-F
STMicroelectronics

A2P75S12M3-F

חלק מלאי: 373

סוג IGBT: Trench Field Stop, תְצוּרָה: Three Phase Inverter, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 1200V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 75A, כוח - מקסימום: 454.5W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

לרשימת האם
A2P75S12M3
STMicroelectronics

A2P75S12M3

חלק מלאי: 372

סוג IGBT: Trench Field Stop, תְצוּרָה: Three Phase Inverter, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 1200V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 75A, כוח - מקסימום: 454.5W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

לרשימת האם
A2C50S65M2
STMicroelectronics

A2C50S65M2

חלק מלאי: 320

סוג IGBT: Trench Field Stop, תְצוּרָה: Three Phase Inverter with Brake, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 650V, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50A, כוח - מקסימום: 208W, Vce (מופעל) (מקסימום) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

לרשימת האם