Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

דיודות - מיישרים - יחיד

1N4586GP-E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division

1N4586GP-E3/54

חלק מלאי: 168864

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1000V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 1A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 2µs,

לרשימת האם
1N4595R
GeneSiC Semiconductor

1N4595R

חלק מלאי: 2917

סוג דיודה: Standard, Reverse Polarity, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 150A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.5V @ 150A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

לרשימת האם
1N6098
GeneSiC Semiconductor

1N6098

חלק מלאי: 4336

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 50A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 700mV @ 50A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

לרשימת האם
1N3889
GeneSiC Semiconductor

1N3889

חלק מלאי: 12061

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 12A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.4V @ 12A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 200ns,

לרשימת האם
1N3893R
GeneSiC Semiconductor

1N3893R

חלק מלאי: 9557

סוג דיודה: Standard, Reverse Polarity, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 12A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.4V @ 12A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 200ns,

לרשימת האם
1N1188R
GeneSiC Semiconductor

1N1188R

חלק מלאי: 14337

סוג דיודה: Standard, Reverse Polarity, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 35A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.2V @ 35A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

לרשימת האם
1N2131AR
GeneSiC Semiconductor

1N2131AR

חלק מלאי: 7092

סוג דיודה: Standard, Reverse Polarity, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 60A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 60A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

לרשימת האם
1N1200A
GeneSiC Semiconductor

1N1200A

חלק מלאי: 15967

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 12A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 12A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

לרשימת האם
1N1190AR
GeneSiC Semiconductor

1N1190AR

חלק מלאי: 10679

סוג דיודה: Standard, Reverse Polarity, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 40A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 40A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

לרשימת האם
1N1190A
GeneSiC Semiconductor

1N1190A

חלק מלאי: 11089

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 40A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 40A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

לרשימת האם
1N2138AR
GeneSiC Semiconductor

1N2138AR

חלק מלאי: 7743

סוג דיודה: Standard, Reverse Polarity, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 60A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 60A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

לרשימת האם
1N5553US
Microsemi Corporation

1N5553US

חלק מלאי: 5530

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 800V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.2V @ 9A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 2µs,

לרשימת האם
1N4150-1
Microsemi Corporation

1N4150-1

חלק מלאי: 35775

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 200mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, זמן התאוששות הפוך (trr): 4ns,

לרשימת האם
1N5553
Microsemi Corporation

1N5553

חלק מלאי: 6439

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 800V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.2V @ 9A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 2µs,

לרשימת האם
1N6640US
Microsemi Corporation

1N6640US

חלק מלאי: 6262

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 75V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 300mA (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 200mA, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 4ns,

לרשימת האם
1N6622
Microsemi Corporation

1N6622

חלק מלאי: 5407

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1.2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.4V @ 1.2A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 45ns,

לרשימת האם
1N5804US
Microsemi Corporation

1N5804US

חלק מלאי: 6351

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 875mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 25ns,

לרשימת האם
1N5552
Microsemi Corporation

1N5552

חלק מלאי: 6290

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.2V @ 9A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 2µs,

לרשימת האם
1N6080
Microsemi Corporation

1N6080

חלק מלאי: 1677

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 2A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.5V @ 37.7A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 30ns,

לרשימת האם
1N3595US
Microsemi Corporation

1N3595US

חלק מלאי: 5411

סוג דיודה: Standard, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 4A (DC), מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 200mA, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 3µs,

לרשימת האם
1N5616US
Microsemi Corporation

1N5616US

חלק מלאי: 8604

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 400V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 3A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 2µs,

לרשימת האם
1N3611
Microsemi Corporation

1N3611

חלק מלאי: 7627

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.1V @ 1A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

לרשימת האם
1N5619US
Microsemi Corporation

1N5619US

חלק מלאי: 6582

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.6V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 250ns,

לרשימת האם
1N914UR
Microsemi Corporation

1N914UR

חלק מלאי: 24811

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 75V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 200mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.2V @ 50mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, זמן התאוששות הפוך (trr): 20ns,

לרשימת האם
1N5619
Microsemi Corporation

1N5619

חלק מלאי: 9843

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 600V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.6V @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 250ns,

לרשימת האם
1N5416US
Microsemi Corporation

1N5416US

חלק מלאי: 5319

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 100V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.5V @ 9A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 150ns,

לרשימת האם
1N5807
Microsemi Corporation

1N5807

חלק מלאי: 6580

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 50V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 875mV @ 4A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 30ns,

לרשימת האם
1N5554
Microsemi Corporation

1N5554

חלק מלאי: 6400

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 1000V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.2V @ 9A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 2µs,

לרשימת האם
1N5711-1
Microsemi Corporation

1N5711-1

חלק מלאי: 7979

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 70V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 33mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1V @ 15mA, מְהִירוּת: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

לרשימת האם
1N5620
Microsemi Corporation

1N5620

חלק מלאי: 10754

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 800V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.3V @ 3A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 2µs,

לרשימת האם
1N5550
Microsemi Corporation

1N5550

חלק מלאי: 7965

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 200V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 1.2V @ 9A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 2µs,

לרשימת האם
1N5822US
Microsemi Corporation

1N5822US

חלק מלאי: 643

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 500mV @ 3A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

לרשימת האם
1C5819.T
SMC Diode Solutions

1C5819.T

חלק מלאי: 90011

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 20V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 450mV @ 1A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

לרשימת האם
1C5822.T
SMC Diode Solutions

1C5822.T

חלק מלאי: 90043

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 3A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 700mV @ 9.4A, מְהִירוּת: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

לרשימת האם
1N3647
Semtech Corporation

1N3647

חלק מלאי: 7939

סוג דיודה: Standard, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 3000V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 600mA, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 5V @ 250mA, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), זמן התאוששות הפוך (trr): 2.5µs,

לרשימת האם
1N5819HW-13
Diodes Incorporated

1N5819HW-13

חלק מלאי: 2626

סוג דיודה: Schottky, מתח - הפוך DC (Vr) (מקסימום): 40V, זרם - ממוצע מתוקן (Io): 1A, מתח - קדימה (Vf) (מקסימום) @ אם: 750mV @ 3A, מְהִירוּת: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

לרשימת האם