חיישנים אופטיים - מפרידי צילום - סוג חריץ - פלט טר

OPB829C

חלק מלאי: 5962

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB880N51

חלק מלאי: 6047

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB870N51TX

חלק מלאי: 356

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB882P51

חלק מלאי: 5994

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB375P11

חלק מלאי: 9674

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB870L51TXV

חלק מלאי: 341

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB890T55

חלק מלאי: 9681

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB848TXV

חלק מלאי: 293

מרחק חישה: 0.100" (2.54mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB860N51

חלק מלאי: 35346

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB8362

חלק מלאי: 6106

OPB821S5

חלק מלאי: 5923

מרחק חישה: 0.080" (2.03mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB890L11

חלק מלאי: 5985

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB892L51

חלק מלאי: 6034

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB882P51Z

חלק מלאי: 6004

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB365P51

חלק מלאי: 5914

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB881N55Z

חלק מלאי: 5946

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB880L11

חלק מלאי: 6032

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB892T51

חלק מלאי: 9654

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB380L55

חלק מלאי: 9611

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

WF15-40B416

חלק מלאי: 59

מרחק חישה: 0.591" (15mm), שיטת חישה: Optical Flag, תצורת פלט: PNP/NPN,

WF15-60B416

חלק מלאי: 36

מרחק חישה: 0.591" (15mm), שיטת חישה: Optical Flag, תצורת פלט: PNP/NPN,

WF80-40B416

חלק מלאי: 56

מרחק חישה: 3.150" (80mm), שיטת חישה: Optical Flag, תצורת פלט: PNP/NPN,

WF120-60B416

חלק מלאי: 114

מרחק חישה: 4.724" (120mm), שיטת חישה: Optical Flag, תצורת פלט: PNP/NPN,

PM-K64

חלק מלאי: 9658

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 15mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

PM-Y44-C3

חלק מלאי: 2801

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 15mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

PM-R54

חלק מלאי: 4076

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 15mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

EE-SPX613-2

חלק מלאי: 490

מרחק חישה: 0.236" ~ 0.512" (6mm ~ 13mm) ADJ, שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable,

EE-SX911P-R 1M

חלק מלאי: 6030

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: PNP - Open Collector,

EE-SX910P-R 1M

חלק מלאי: 6019

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: PNP - Open Collector,

HOA0890-L55

חלק מלאי: 9711

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Transistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

RPI-222N1

חלק מלאי: 180944

EE-SX1108

חלק מלאי: 33381

מרחק חישה: 0.079" (2mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 25mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 20V,

GP1S58V

חלק מלאי: 9689

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V,

LTH-306-41P1

חלק מלאי: 165624

זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 1A, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

PES50E94C

חלק מלאי: 435

QVL21653

חלק מלאי: 9691

מרחק חישה: 0.787" (20mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,