חיישנים אופטיים - מפרידי צילום - סוג חריץ - פלט טר

PM-R24-R

חלק מלאי: 6024

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 15mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

PM-L54P

חלק מלאי: 6115

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 15mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

PM-L24-R

חלק מלאי: 9702

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 15mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

PM-F54P

חלק מלאי: 6040

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: PNP - Open Collector, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 15mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB872N55TX

חלק מלאי: 401

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB811W55

חלק מלאי: 9675

מרחק חישה: 0.375" (9.53mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPS695

חלק מלאי: 6038

שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB890N51Z

חלק מלאי: 6073

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB866L51

חלק מלאי: 5939

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB862P55

חלק מלאי: 5947

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB821S10

חלק מלאי: 6106

מרחק חישה: 0.080" (2.03mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB870L51TX

חלק מלאי: 336

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB870P51TXV

חלק מלאי: 280

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB876L55

חלק מלאי: 5986

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB872T51TXV

חלק מלאי: 292

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPB881L55Z

חלק מלאי: 20880

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

OPS696

חלק מלאי: 5937

שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

WFM80-60P321

חלק מלאי: 69

מרחק חישה: 3.150" (80mm), שיטת חישה: Optical Flag, תצורת פלט: PNP,

UFN3-70P415

חלק מלאי: 36

מרחק חישה: 0.118" (3mm), שיטת חישה: Optical Flag, תצורת פלט: PNP,

WF50-95B410

חלק מלאי: 117

מרחק חישה: 1.969" (50mm), שיטת חישה: Optical Flag, תצורת פלט: PNP/NPN,

HOA0865-N51

חלק מלאי: 18207

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Transistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

HOA0877-L55

חלק מלאי: 25989

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Transistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

HOA0865-L51

חלק מלאי: 36852

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Transistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

HOA1872-013

חלק מלאי: 9672

מרחק חישה: 0.100" (2.54mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Photodarlington, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 15V,

HOA1883-011

חלק מלאי: 20288

מרחק חישה: 0.140" (3.56mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

HOA0892-P55

חלק מלאי: 6005

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Transistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

HOA0825-002

חלק מלאי: 19541

מרחק חישה: 0.165" (4.2mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Transistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

H22B6

חלק מלאי: 5971

מרחק חישה: 0.118" (3mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Photodarlington, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 40mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 55V,

OPB705W

חלק מלאי: 9616

QVA11134

חלק מלאי: 6048

מרחק חישה: 0.125" (3.18mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

CNZ1021

חלק מלאי: 6054

מרחק חישה: 0.118" (3mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

EE-SX975P-C1

חלק מלאי: 1851

מרחק חישה: 0.020" (0.5mm), שיטת חישה: Transmissive, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,

EE-SX914P-C1J-R 0.3M

חלק מלאי: 5983

מרחק חישה: 0.197" (5mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: PNP - Open Collector,

GP1S097HCZ

חלק מלאי: 5970

מרחק חישה: 0.079" (2mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 50mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 20mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 35V,

LTH-306-07W2

חלק מלאי: 4024

RPI-0128T81

חלק מלאי: 123833

מרחק חישה: 0.047" (1.2mm), שיטת חישה: Transmissive, תצורת פלט: Phototransistor, זרם - DC קדימה (אם) (מקסימום): 30mA, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 30mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V,