טרנזיסטורים - FET, MOSFET - מערכים | מוצרי מוליכים למחצה בדידים | 100

SI4931DY-T1-GE3

חלק מלאי: 180864

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6.7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 350µA,

לרשימת האם

Vishay Siliconix

SI4228DY-T1-GE3

חלק מלאי: 190253

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 25V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

לרשימת האם

Vishay Siliconix

SI8902AEDB-T2-E1

חלק מלאי: 3310

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 24V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 11A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA,

לרשימת האם

Vishay Siliconix

SQJ960EP-T1_GE3

חלק מלאי: 77437

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

לרשימת האם

Vishay Siliconix

SIA527DJ-T1-GE3

חלק מלאי: 180836

סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

לרשימת האם

Vishay Siliconix

SIB912DK-T1-GE3

חלק מלאי: 125137

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

לרשימת האם

Vishay Siliconix

SI9933CDY-T1-GE3

חלק מלאי: 185277

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA,

לרשימת האם

Vishay Siliconix

SI7942DP-T1-E3

חלק מלאי: 63525

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

לרשימת האם

Vishay Siliconix

SI7922DN-T1-GE3

חלק מלאי: 86516

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 100V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA,

לרשימת האם

Vishay Siliconix

SI1036X-T1-GE3

חלק מלאי: 2514

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 610mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

לרשימת האם

Vishay Siliconix

SI7956DP-T1-GE3

חלק מלאי: 44000

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 150V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA,

לרשימת האם

Nexperia USA Inc.

NX1029X,115

חלק מלאי: 166606

סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, 50V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 330mA, 170mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA,

לרשימת האם

Nexperia USA Inc.

PMGD780SN,115

חלק מלאי: 171536

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 490mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920 mOhm @ 300mA, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

לרשימת האם

Rohm Semiconductor

EM6K1T2R

חלק מלאי: 188653

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA,

לרשימת האם

Rohm Semiconductor

QS5K2TR

חלק מלאי: 110824

סוג FET: 2 N-Channel (Dual) Common Source, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA,

לרשימת האם

Rohm Semiconductor

QH8JA1TCR

חלק מלאי: 135582

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA,

לרשימת האם

Rohm Semiconductor

UM6K1NTN

חלק מלאי: 176441

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA,

לרשימת האם

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N56FE,LM

חלק מלאי: 179879

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, 1.5V Drive, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 800mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA,

לרשימת האם

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N15AFE,LM

חלק מלאי: 178067

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA,

לרשימת האם

ON Semiconductor

FDG6301N-F085

חלק מלאי: 2507

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 25V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 220mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

לרשימת האם

ON Semiconductor

NVMFD5485NLWFT3G

חלק מלאי: 90689

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

לרשימת האם

ON Semiconductor

NVLJD4007NZTAG

חלק מלאי: 139596

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 245mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7 Ohm @ 125mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 100µA,

לרשימת האם

ON Semiconductor

EFC6605R-TR

חלק מלאי: 197820

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

לרשימת האם

Infineon Technologies

IPG20N04S4L08AATMA1

חלק מלאי: 137972

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 22µA,

לרשימת האם

Infineon Technologies

IPG20N06S415ATMA2

חלק מלאי: 113173

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA,

לרשימת האם

Infineon Technologies

IPG20N04S4L11ATMA1

חלק מלאי: 172926

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 15µA,

לרשימת האם

Infineon Technologies

IRF7341GTRPBF

חלק מלאי: 82222

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 55V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 5.1A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

לרשימת האם

Infineon Technologies

IPG20N04S4L07ATMA1

חלק מלאי: 104521

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 20A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2 mOhm @ 17A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA,

לרשימת האם

Infineon Technologies

IRF7314TRPBF

חלק מלאי: 193267

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 5.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

לרשימת האם

Diodes Incorporated

DMG1023UV-7

חלק מלאי: 104503

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.03A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750 mOhm @ 430mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

לרשימת האם

Diodes Incorporated

DMN2011UFX-7

חלק מלאי: 171759

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 12.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

לרשימת האם

Diodes Incorporated

DMC1017UPD-13

חלק מלאי: 2684

סוג FET: N and P-Channel Complementary, תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 13A (Ta), 9.4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, 32 mOhm @ 8.9A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

לרשימת האם

Diodes Incorporated

ZXMD63P03XTA

חלק מלאי: 60635

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185 mOhm @ 1.2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min),

לרשימת האם

Texas Instruments

CSD88537ND

חלק מלאי: 132851

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 15A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA,

לרשימת האם

Panasonic Electronic Components

UP0497900L

חלק מלאי: 2637

סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 50V, 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA,

לרשימת האם

Panasonic Electronic Components

UP0487C00L

חלק מלאי: 188334

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 100mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.3V @ 50µA,

לרשימת האם