טרנזיסטורים - FET, MOSFET - מערכים

PHKD13N03LT,118

PHKD13N03LT,118

חלק מלאי: 2834

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 10.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA,

לרשימת האם
SI3911DV-T1-E3

SI3911DV-T1-E3

חלק מלאי: 2792

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min),

לרשימת האם
SI4565ADY-T1-E3

SI4565ADY-T1-E3

חלק מלאי: 2757

סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6.6A, 5.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

לרשימת האם
SI7945DP-T1-GE3

SI7945DP-T1-GE3

חלק מלאי: 2809

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 10.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

לרשימת האם
SI6993DQ-T1-GE3

SI6993DQ-T1-GE3

חלק מלאי: 2801

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

לרשימת האם
SI5905BDC-T1-E3

SI5905BDC-T1-E3

חלק מלאי: 2802

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 8V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 3.3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

לרשימת האם
SI5943DU-T1-GE3

SI5943DU-T1-GE3

חלק מלאי: 3377

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64 mOhm @ 3.6A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

לרשימת האם
SI5935DC-T1-GE3

SI5935DC-T1-GE3

חלק מלאי: 2861

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

לרשימת האם
SI3586DV-T1-GE3

SI3586DV-T1-GE3

חלק מלאי: 2865

סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.9A, 2.1A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA,

לרשימת האם
IRF7755GTRPBF

IRF7755GTRPBF

חלק מלאי: 2770

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

לרשימת האם
IRF7335D1TR

IRF7335D1TR

חלק מלאי: 2727

סוג FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 10A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5 mOhm @ 10A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

לרשימת האם
IRF7331

IRF7331

חלק מלאי: 2682

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

לרשימת האם
IRF7316QTRPBF

IRF7316QTRPBF

חלק מלאי: 3347

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.9A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

לרשימת האם
IRF7503TR

IRF7503TR

חלק מלאי: 2661

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135 mOhm @ 1.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

לרשימת האם
IRF7343QTRPBF

IRF7343QTRPBF

חלק מלאי: 2838

סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 55V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.7A, 3.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

לרשימת האם
IRF7757TRPBF

IRF7757TRPBF

חלק מלאי: 2819

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.8A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA,

לרשימת האם
IRF7304TR

IRF7304TR

חלק מלאי: 2707

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.3A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA,

לרשימת האם
TPCL4203(TE85L,F)

TPCL4203(TE85L,F)

חלק מלאי: 3305

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: Standard, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.2V @ 200µA,

לרשימת האם
FDG6313N

FDG6313N

חלק מלאי: 2667

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 25V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 500mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

לרשימת האם
NTMFD4C88NT1G

NTMFD4C88NT1G

חלק מלאי: 36648

סוג FET: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 11.7A, 14.2A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4 mOhm @ 10A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA,

לרשימת האם
NTLJD2104PTAG

NTLJD2104PTAG

חלק מלאי: 2796

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 12V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 2.4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA,

לרשימת האם
FDG6304P_D87Z

FDG6304P_D87Z

חלק מלאי: 2747

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 25V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 410mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA,

לרשימת האם
NVMFD5489NLT3G

NVMFD5489NLT3G

חלק מלאי: 103434

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65 mOhm @ 15A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA,

לרשימת האם
EMH2412-TL-H

EMH2412-TL-H

חלק מלאי: 2854

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 24V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 3A, 4.5V,

לרשימת האם
NTZD3156CT1G

NTZD3156CT1G

חלק מלאי: 2797

סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 540mA, 430mA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

לרשימת האם
HUFA76504DK8T

HUFA76504DK8T

חלק מלאי: 2775

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 80V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA,

לרשימת האם
EFC4627R-A-TR

EFC4627R-A-TR

חלק מלאי: 134119

לרשימת האם
NSTJD1155LT1G

NSTJD1155LT1G

חלק מלאי: 2852

לרשימת האם
ECH8659-M-TL-H

ECH8659-M-TL-H

חלק מלאי: 2889

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, 4V Drive, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 7A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 3.5A, 10V,

לרשימת האם
NTND31225CZTAG

NTND31225CZTAG

חלק מלאי: 21663

סוג FET: N and P-Channel Complementary, תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 220mA (Ta), 127mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, 5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

לרשימת האם
FW282-TL-E

FW282-TL-E

חלק מלאי: 2908

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 35V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 6A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37 mOhm @ 6A, 10V,

לרשימת האם
VEC2616-TL-H

VEC2616-TL-H

חלק מלאי: 2969

סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 3A, 2.5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA,

לרשימת האם
STS4DPF30L

STS4DPF30L

חלק מלאי: 107386

סוג FET: 2 P-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 4A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA,

לרשימת האם
EPC2102

EPC2102

חלק מלאי: 24374

סוג FET: 2 N-Channel (Half Bridge), תכונת FET: GaNFET (Gallium Nitride), ניקוז למתח המקור (Vdss): 60V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 23A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA,

לרשימת האם
SP8M9FU6TB

SP8M9FU6TB

חלק מלאי: 2786

סוג FET: N and P-Channel, תכונת FET: Logic Level Gate, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 9A, 5A, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V, Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA,

לרשימת האם
US5K3TR

US5K3TR

חלק מלאי: 2728

סוג FET: 2 N-Channel (Dual), תכונת FET: Standard, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז רציף (Id) @ 25 ° C: 1.5A,

לרשימת האם