Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - מערכים, מוטה מראש

MUN5216DW1T1
ON Semiconductor

MUN5216DW1T1

חלק מלאי: 1438

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
NSBC143ZPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBC143ZPDXV6T1G

חלק מלאי: 154023

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
NSBC123JDXV6T5
ON Semiconductor

NSBC123JDXV6T5

חלק מלאי: 1465

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
NSVB124XPDXV6T1G
ON Semiconductor

NSVB124XPDXV6T1G

חלק מלאי: 133175

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
NSBA113EDXV6T1G
ON Semiconductor

NSBA113EDXV6T1G

חלק מלאי: 168681

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 1 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 1 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 3 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
MUN5113DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5113DW1T1G

חלק מלאי: 163385

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
EMC5DXV5T1
ON Semiconductor

EMC5DXV5T1

חלק מלאי: 3198

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 20 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
SMUN5315DW1T1G
ON Semiconductor

SMUN5315DW1T1G

חלק מלאי: 151022

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
MUN5111DW1T1G
ON Semiconductor

MUN5111DW1T1G

חלק מלאי: 182502

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
NSBC114YDXV6T5G
ON Semiconductor

NSBC114YDXV6T5G

חלק מלאי: 152242

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
RN2906,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906,LF

חלק מלאי: 138883

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
RN2908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2908(T5L,F,T)

חלק מלאי: 1489

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
RN2901(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2901(T5L,F,T)

חלק מלאי: 1507

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
RN1970FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1970FE(TE85L,F)

חלק מלאי: 1480

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V,

לרשימת האם
RN2603(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2603(TE85L,F)

חלק מלאי: 181191

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
RN4903(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4903(T5L,F,T)

חלק מלאי: 1463

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
RN2968FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2968FE(TE85L,F)

חלק מלאי: 1523

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
DDA144EK-7-F
Diodes Incorporated

DDA144EK-7-F

חלק מלאי: 124106

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
DDA124EK-7-F
Diodes Incorporated

DDA124EK-7-F

חלק מלאי: 116873

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
DDA114YU-7
Diodes Incorporated

DDA114YU-7

חלק מלאי: 1386

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 68 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
IMB4AT110
Rohm Semiconductor

IMB4AT110

חלק מלאי: 116363

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

לרשימת האם
UMF8NTR
Rohm Semiconductor

UMF8NTR

חלק מלאי: 111347

סוג טרנזיסטור: 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, 15V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V,

לרשימת האם
FMG5AT148
Rohm Semiconductor

FMG5AT148

חלק מלאי: 191530

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
UMD6NTR
Rohm Semiconductor

UMD6NTR

חלק מלאי: 125967

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V,

לרשימת האם
XP0621000L
Panasonic Electronic Components

XP0621000L

חלק מלאי: 1473

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
DMG264020R
Panasonic Electronic Components

DMG264020R

חלק מלאי: 139566

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
XN0111M00L
Panasonic Electronic Components

XN0111M00L

חלק מלאי: 1478

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
XP0421M00L
Panasonic Electronic Components

XP0421M00L

חלק מלאי: 1422

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
NP0G3A000A
Panasonic Electronic Components

NP0G3A000A

חלק מלאי: 1454

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 80mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
PBLS6004D,115
Nexperia USA Inc.

PBLS6004D,115

חלק מלאי: 100158

סוג טרנזיסטור: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, 700mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, 60V, נגד - בסיס (R1): 22 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V / 150 @ 500mA, 5V,

לרשימת האם
PIMN31,115
Nexperia USA Inc.

PIMN31,115

חלק מלאי: 149516

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 1 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 10 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 70 @ 50mA, 5V,

לרשימת האם
PEMH9,115
Nexperia USA Inc.

PEMH9,115

חלק מלאי: 174446

סוג טרנזיסטור: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 10 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
PUMD17,115
Nexperia USA Inc.

PUMD17,115

חלק מלאי: 141367

סוג טרנזיסטור: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 22 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
PUMB2,115
Nexperia USA Inc.

PUMB2,115

חלק מלאי: 142176

סוג טרנזיסטור: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, נגד - בסיס (R1): 47 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 47 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 5V,

לרשימת האם
PBLS4001V,115
NXP USA Inc.

PBLS4001V,115

חלק מלאי: 1384

סוג טרנזיסטור: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, 40V, נגד - בסיס (R1): 2.2 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 2.2 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

לרשימת האם
PBLS4002V,115
NXP USA Inc.

PBLS4002V,115

חלק מלאי: 1498

סוג טרנזיסטור: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, 40V, נגד - בסיס (R1): 4.7 kOhms, נגד - בסיס פולט (R2): 4.7 kOhms, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V / 150 @ 100mA, 2V,

לרשימת האם