סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 40V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 80µA @ 10V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 1V @ 1nA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 40V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 30µA @ 10V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 600mV @ 1nA,
סוג FET: N-Channel, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, ניקוז נוכחי (Id) - מקס: 10mA, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 180mV @ 1µA,
סוג FET: N-Channel, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.5mA @ 10V, ניקוז נוכחי (Id) - מקס: 10mA, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 180mV @ 1µA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 30V, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2.5mA @ 10V, ניקוז נוכחי (Id) - מקס: 10mA, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 180mV @ 1µA,
סוג FET: N-Channel, ניקוז למתח המקור (Vdss): 15V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 14.5mA @ 5V, ניקוז נוכחי (Id) - מקס: 50mA, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 600mV @ 100µA,
סוג FET: N-Channel, ניקוז למתח המקור (Vdss): 15V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7.3mA @ 5V, ניקוז נוכחי (Id) - מקס: 50mA, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 600mV @ 100µA,
סוג FET: N-Channel, ניקוז למתח המקור (Vdss): 15V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 10mA @ 5V, ניקוז נוכחי (Id) - מקס: 50mA, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 600mV @ 100µA,
סוג FET: N-Channel, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 150µA @ 5V, ניקוז נוכחי (Id) - מקס: 1mA, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 500mV @ 1µA,
סוג FET: N-Channel, ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 10V, ניקוז נוכחי (Id) - מקס: 20mA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 35V, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V,
סוג FET: P-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 40V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 1.8V @ 1µA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 35V, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V,
סוג FET: P-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 40V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 1V @ 1µA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 30V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 25mA @ 20V,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 30V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 25V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 4mA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 2V @ 10nA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 25V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 1V @ 10nA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 25V, ניקוז למתח המקור (Vdss): 25V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 500mV @ 10nA,
סוג FET: N-Channel, ניקוז למתח המקור (Vdss): 20V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 107µA @ 2V, ניקוז נוכחי (Id) - מקס: 2mA,
סוג FET: N-Channel, ניקוז למתח המקור (Vdss): 55V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 10V, ניקוז נוכחי (Id) - מקס: 30mA, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 5V @ 10µA,
