סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 40V, ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 20V,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 40V, ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 40V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 200µA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 300mV @ 10nA,
סוג FET: 2 N-Channel (Dual), מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 25V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 6mA @ 10V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 1V @ 1nA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 25V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 24mA @ 10V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 2.5V @ 1nA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 25V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1mA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 300mV @ 10nA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 30V, ניקוז למתח המקור (Vdss): 30V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 500mV @ 10nA,
סוג FET: P-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 30V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 1V @ 10nA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 35V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 1V @ 1µA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 25V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 500mA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 4.5V @ 1µA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 40V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 15mA @ 20V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 2V @ 1nA,
סוג FET: P-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 30V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 1.5mA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 800mV @ 10nA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 20V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100µA @ 5V, ניקוז נוכחי (Id) - מקס: 1mA, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 600mV @ 1µA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 30V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 4V @ 1nA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 35V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 20mA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 3V @ 1µA,
סוג FET: N-Channel, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 5V, ניקוז נוכחי (Id) - מקס: 1mA, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 200mV @ 1µA,
סוג FET: N-Channel, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 600µA @ 10V, ניקוז נוכחי (Id) - מקס: 10mA, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 180mV @ 1µA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 25V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 100mA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 500mV @ 1µA,
סוג FET: P-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 30V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 7mA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 3V @ 10nA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 40V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 8mA @ 20V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 1V @ 1nA,
סוג FET: N-Channel, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 210µA @ 2V, ניקוז נוכחי (Id) - מקס: 1mA, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 100mV @ 1µA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 40V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 5mA @ 20V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 500mV @ 1nA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 40V, ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 2mA @ 15V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 500mV @ 1µA,
סוג FET: N-Channel, מתח - התמוטטות (V (BR) GSS): 40V, ניקוז למתח המקור (Vdss): 40V, זרם - ניקוז (Idss) @ Vds (Vgs = 0): 50mA @ 20V, מתח - ניתוק (VGS כבוי) @ מזהה: 4V @ 1nA,
