Menu
עִבְרִיתעִבְרִית
0RFQs / סדר
0RFQs / סדר

טרנזיסטורים - דו קוטבי (BJT) - מערכים

QSX7TR
Rohm Semiconductor

QSX7TR

חלק מלאי: 133111

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 1.5A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 12V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 200mV @ 25mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 270 @ 200mA, 2V,

לרשימת האם
FMW1T148
Rohm Semiconductor

FMW1T148

חלק מלאי: 193173

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

לרשימת האם
FMY4AT148
Rohm Semiconductor

FMY4AT148

חלק מלאי: 115359

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP Complementary Darlington, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

לרשימת האם
EMX5T2R
Rohm Semiconductor

EMX5T2R

חלק מלאי: 132191

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 11V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 500nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
US6T9TR
Rohm Semiconductor

US6T9TR

חלק מלאי: 144882

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 1A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

לרשימת האם
QSX8TR
Rohm Semiconductor

QSX8TR

חלק מלאי: 124260

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 1A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

לרשימת האם
IMX5T108
Rohm Semiconductor

IMX5T108

חלק מלאי: 149748

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 50mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 11V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 500nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V,

לרשימת האם
QS6Z5TR
Rohm Semiconductor

QS6Z5TR

חלק מלאי: 158820

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 1A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 350mV @ 25mA, 500mA / 400mV @ 25mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V,

לרשימת האם
QS5W2TR
Rohm Semiconductor

QS5W2TR

חלק מלאי: 188842

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual) Common Emitter, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 3A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 3V,

לרשימת האם
IMX17T108
Rohm Semiconductor

IMX17T108

חלק מלאי: 170021

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

לרשימת האם
IMX3T108
Rohm Semiconductor

IMX3T108

חלק מלאי: 188015

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

לרשימת האם
IMZ2AT108
Rohm Semiconductor

IMZ2AT108

חלק מלאי: 189718

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

לרשימת האם
IMX1T108
Rohm Semiconductor

IMX1T108

חלק מלאי: 134514

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

לרשימת האם
QSZ2TR
Rohm Semiconductor

QSZ2TR

חלק מלאי: 151664

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP (Emitter Coupled), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 1.5A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 350mV @ 50mA, 1A / 370mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 270 @ 100mA, 2V,

לרשימת האם
IMZ4T108
Rohm Semiconductor

IMZ4T108

חלק מלאי: 137089

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 32V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 3V,

לרשימת האם
UMZ1NTR
Rohm Semiconductor

UMZ1NTR

חלק מלאי: 165705

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

לרשימת האם
UMZ2NTR
Rohm Semiconductor

UMZ2NTR

חלק מלאי: 108768

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

לרשימת האם
QS5W1TR
Rohm Semiconductor

QS5W1TR

חלק מלאי: 144757

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual) Common Emitter, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 3A, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 30V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 1A, זרם - חתך אספן (מקסימום): 1µA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V,

לרשימת האם
EMZ2T2R
Rohm Semiconductor

EMZ2T2R

חלק מלאי: 102872

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

לרשימת האם
ULN2003ADRG4
Texas Instruments

ULN2003ADRG4

חלק מלאי: 142447

סוג טרנזיסטור: 7 NPN Darlington, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 50µA,

לרשימת האם
ULN2003AIPWR
Texas Instruments

ULN2003AIPWR

חלק מלאי: 189360

סוג טרנזיסטור: 7 NPN Darlington, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 50µA,

לרשימת האם
MMDT3904-7-F
Diodes Incorporated

MMDT3904-7-F

חלק מלאי: 137638

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 200mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 40V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 50nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

לרשימת האם
DMMT5551-7-F
Diodes Incorporated

DMMT5551-7-F

חלק מלאי: 182764

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual) Matched Pair, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 200mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 160V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 50nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
MMDT2227M-7
Diodes Incorporated

MMDT2227M-7

חלק מלאי: 158166

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 600mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 40V, 60V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA / 1.6V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 10nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

לרשימת האם
MMDT2222V-7
Diodes Incorporated

MMDT2222V-7

חלק מלאי: 145001

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 600mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 40V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 10nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

לרשימת האם
MMDT2907AQ-7-F
Diodes Incorporated

MMDT2907AQ-7-F

חלק מלאי: 116803

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 600mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 60V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 10nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

לרשימת האם
MMDT5551-7-F
Diodes Incorporated

MMDT5551-7-F

חלק מלאי: 174855

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 200mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 160V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 50nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V,

לרשימת האם
PMBT3906VS,115
Nexperia USA Inc.

PMBT3906VS,115

חלק מלאי: 191209

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 200mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 40V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 50nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

לרשימת האם
PUMZ1,115
Nexperia USA Inc.

PUMZ1,115

חלק מלאי: 145366

סוג טרנזיסטור: NPN, PNP, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 40V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 6V,

לרשימת האם
SMBT3904SH6327XTSA1
Infineon Technologies

SMBT3904SH6327XTSA1

חלק מלאי: 180805

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 200mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 40V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 50nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

לרשימת האם
SMBT3906SH6327XTSA1
Infineon Technologies

SMBT3906SH6327XTSA1

חלק מלאי: 136392

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 200mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 40V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 50nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

לרשימת האם
SMBT3906UE6327HTSA1
Infineon Technologies

SMBT3906UE6327HTSA1

חלק מלאי: 154530

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 200mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 40V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 50nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

לרשימת האם
HN4A56JU(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN4A56JU(TE85L,F)

חלק מלאי: 175513

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 150mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100nA (ICBO), רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

לרשימת האם
DMC206010R
Panasonic Electronic Components

DMC206010R

חלק מלאי: 130805

סוג טרנזיסטור: 2 NPN (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 100mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 100µA, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V,

לרשימת האם
ULN2003ADR2G
ON Semiconductor

ULN2003ADR2G

חלק מלאי: 145782

סוג טרנזיסטור: 7 NPN Darlington, זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 500mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 50V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, זרם - חתך אספן (מקסימום): 50µA, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

לרשימת האם
MBT3906DW1T2G
ON Semiconductor

MBT3906DW1T2G

חלק מלאי: 189131

סוג טרנזיסטור: 2 PNP (Dual), זרם - אספן (Ic) (מקסימום): 200mA, מתח - פירוק פולט אספן (מקסימום): 40V, רוויית Vce (מקסימום) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, רווח זרם DC (hFE) (מינימום) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

לרשימת האם